[发明专利]低噪声放大器、射频接收机及电子设备在审
申请号: | 202210498315.8 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN114978048A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 孙旭光 | 申请(专利权)人: | 睦星科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/30;H03F3/193;H04B1/16 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 姚大雷 |
地址: | 100082 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低噪声放大器 射频 接收机 电子设备 | ||
本申请实施例提供了一种低噪声放大器、射频接收机及电子设备,其中低噪声放大器包括:射频信号放大模块、直流偏置产生模块、偏置电流源和去耦模块;偏置电流源的参考电流输出端与直流偏置产生模块的参考电流输入端连接;直流偏置产生模块的偏置电压输出端与射频信号放大模块的偏置电压输入端连接;直流偏置产生模块的偏置电流输出端分别与射频信号放大模块的偏置电流输入端、去耦模块的信号输入端连接;去耦模块使得射频信号放大模块的偏置电流输入端形成高频虚地节点,避免直流偏置产生模块对射频信号放大产生影响。因此,镜像晶体管的沟道长度可以设计为较大的数值,镜像晶体管的面积增大,降低低噪声放大器的失配电流。
技术领域
本申请涉及无线通信技术领域,尤其涉及一种低噪声放大器、射频接收机及电子设备。
背景技术
低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)是一种射频集成电路芯片中重要的组成模块,主要功能是对输入射频信号进行放大,具有高增益、低噪声的特性。现有低噪声放大器一般采用电流镜电路结构为放大电路提供直流偏置电流。在通常的电流镜电路的设计中,为了降低晶体管失配的影响,晶体管面积不能设计的太小,晶体管沟道长度也就不能设计的过小。然而由于低噪声放大器工作频率高,对射频信号增益要求高,放大电路晶体管不得不采用较小的沟道长度,这就与降低电流镜失配的要求形成了矛盾,使得传统低噪声放大器的偏置电流失配很难被控制在较低的范围之内,现有低噪声放大器中存在偏置电流失配较高的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请实施例提供了一种低噪声放大器、射频接收机及电子设备。
第一方面,本申请实施例提供了一种低噪声放大器,包括:射频信号放大模块、直流偏置产生模块、偏置电流源和去耦模块;
所述偏置电流源的参考电流输出端与所述直流偏置产生模块的参考电流输入端连接;
所述直流偏置产生模块的偏置电压输出端与所述射频信号放大模块的偏置电压输入端连接;
所述直流偏置产生模块的偏置电流输出端分别与所述射频信号放大模块的偏置电流输入端、所述去耦模块的信号输入端连接;
其中,所述去耦模块使得所述射频信号放大模块的偏置电流输入端形成高频虚地节点,避免所述直流偏置产生模块对射频信号放大产生影响。
在一实施方式中,所述射频信号放大模块还包括:射频信号输入端、射频信号输出端、隔直子模块、第一电压放大晶体管、第二电压放大晶体管、第一直流偏置电阻和第二直流偏置电阻;
所述第一电压放大晶体管的漏极和所述第二电压放大晶体管的漏极连接,所述第一电压放大晶体管的源极接地;
所述射频信号输入端通过所述隔直子模块分别与所述第一电压放大晶体管的栅极和所述第二电压放大晶体管的栅极连接;
所述射频信号输出端分别与所述第一电压放大晶体管的漏极、所述第二电压放大晶体管的漏极连接;
所述第二电压放大晶体管的源极为所述偏置电流输入端;
所述第一直流偏置电阻的第一端与所述偏置电压输入端连接;
所述第一直流偏置电阻的第二端与所述第二电压放大晶体管的栅极连接;
所述第二直流偏置电阻的第一端与所述第一电压放大晶体管的栅极连接;
所述第二直流偏置电阻的第二端与所述射频信号输出端连接。
在一实施方式中,所述直流偏置产生模块还包括第一参考电压输入端、第一镜像晶体管、第二镜像晶体管和第三镜像晶体管;
所述第一镜像晶体管的栅极、所述第二镜像晶体管的栅极和所述第三镜像晶体管的漏极相连;
所述第一镜像晶体管的源极和所述第二镜像晶体管的源极均接电源;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睦星科技(北京)有限公司,未经睦星科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210498315.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。