[发明专利]一种EUV超高聚光效率的反光碗组合装置

说明书

一种EUV超高聚光效率的反光碗组合装置，包含底座(1)，所述的底座(1)上设置有主反光碗(6)、侧反光环碗(7)和下反光碗(8)；其特征在于：所述下反光碗(8)由支撑机构(3)在侧反光环碗(7)上固定支撑，其下反光碗(8)，将等离子体发射的EUV(11)向下散射的EUV光反射到侧反光环碗(7)上再反射和主反光碗(6)的反射EUV光叠加会聚再同一个EUV中间焦点(4)上。本发明通过下反光碗(8)和侧反光环碗(7)结构的聚焦提高了EUV中间焦点(4)光功率30‑45%，大大节约了电能，使芯片制造更环保。

技术领域

本发明涉及EUV光刻机技术和核聚变技术领域，特别是涉及一种EUV超高聚光效率的反光碗组合装置。

背景技术

随着芯片制造行业的要求，以及芯片的迅猛发展，微小芯片发展越来越快，但是由于现在的光刻机的EUV光源功率很难提高、光刻速度也不高，使产期较长。

反光碗装置是光刻机的核心装置之一，一般EUV光源功率很难提高，现有的EUV反光碗只有一个、反光效率不会超过50%，浪费了宝贵的能源，使光刻的时间增长，也不利于超大规模量产，提高EUV光源功率迫在眉睫，使微小芯片超大规模量产提高一个台阶。

发明内容

根据上述问题，本发明提供了一种EUV超高聚光效率的反光碗组合装置，本发明是把EUV主反光碗( 6 )和下反光碗( 8 )叠加使反光效率提高，也相当于提高了EUV光源的功率。

本发明的技术方案是通过以下方式实现的：一种EUV超高聚光效率的反光碗组合装置，包含底座( 1 )，所述的底座( 1 )上设置有主反光碗( 6 )、侧反光环碗( 7 )和下反光碗( 8 )；其特征在于：所述下反光碗( 8 )由支撑机构( 3 )在侧反光环碗( 7 )上固定支撑，其下反光碗( 8 )将等离子体发射的EUV( 11 )向下散射的EUV光反射到侧反光环碗( 7 )上再反射和主反光碗( 6 )反射的EUV光叠加会聚再同一个EUV中间焦点( 4 )上，本发明通过下反光碗( 8 )和侧反光环碗( 7 )结构的聚焦提高了EUV中间焦点( 4 )光功率30-45%。

所述的底座( 1 )上设置有主反光碗( 6 )、侧反光环碗( 7 )。

所述的侧反光环碗( 7 )上设置有支撑机构( 3 )和下反光碗( 8 )。

所述的支撑机构( 3 )上设置一根或多根棒、管、条来牢固支撑下反光碗( 8 )。

本发明的有益效果是:通过下反光碗( 8 )将离子体发射的EUV( 11 )向下散射EUV光反射到侧反光环碗( 7 )再反射和主反光碗( 6 )的反射EUV光叠加会聚再同一个EUV中间焦点( 4 )上，本发明通过下反光碗( 8 )和侧反光环碗( 7 )结构的聚焦提高了EUV中间焦点( 4 )光功率30-45%。

附图说明

图1是本发明实施整体结构示意图。

图2是本发明半透明立体结构示意图。

图中，底座( 1 )；等离子体物质通道( 2 )；支撑机构( 3 )；EUV中间焦点( 4 )；

光路反光装置( 5 )；主反光碗( 6 )侧反光环碗( 7 )；下反光碗( 8 )；工作面或线( 9 )；等

离子体轰击装置( 10 )；等离子体发射的EUV( 11 )。

具体实施方式