[发明专利]发声器件和音频设备

说明书

本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈；第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，第一磁体设于导磁板，第一华司固接于第一磁体，第一华司包括第一子华司和间隔环设于第一子华司外的第二子华司，第一子华司和第二子华司之间形成有高音磁间隙；第二磁路结构设于导磁板，并间隔环设于第一磁路结构外，第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；高音音圈插入高音磁间隙设置，且轴向高度大于或等于其径向环宽；低音音圈插入低音磁间隙设置。本发明技术方案旨在提升发声器件的高音磁间隙的磁路利用率，以提升音频设备的高音性能。

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。

背景技术

发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音单元的磁路的利用率低，导致音频设备的高音性能不理想，给用户带来了不好的使用体验。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升发声器件的高音磁间隙的磁路利用率，以提升音频设备的高音性能。

为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：

导磁板；

第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司固接于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；

第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；

高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插入所述高音磁间隙设置，所述高音音圈的轴向高度大于或等于其径向环宽；以及

低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插入所述低音磁间隙设置。

可选地，所述高音音圈的轴向高度小于或等于其径向环宽的1.6倍。

可选地，所述高音音圈由导线绕制而成，所述高音音圈在径向上至少具有四个导线层。

可选地，所述高音音圈在径向上具有四个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有四个或六个导线圈。

可选地，所述高音音圈在径向上具有六个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有六个导线圈。

可选地，所述高音振膜的外周固接于所述第二子华司的远离所述导磁板的一侧。

可选地，所述第二子华司的远离所述导磁板的一侧设置有安装环凸，所述高音振膜的外周固定连接于所述安装环凸。

可选地，所述安装环凸与所述第二子华司一体成型；或，所述安装环凸独立成型后固接于所述第二子华司。

可选地，在所述安装环凸的远离所述第二磁路结构的一侧，所述高音振膜和所述第一华司之间的最小轴向距离的范围为0.05mm至0.15mm。

可选地，所述高音音圈的远离所述导磁板的一侧和所述第一华司的远离所述导磁板的一侧之间的最大轴向距离小于或等于所述高音音圈的靠近所述导磁板的一侧和所述第一华司的靠近导磁板的一侧之间的最小轴向距离。

可选地，所述高音音圈的轴向高度小于或等于所述第一子华司的高度。