[发明专利]金刚石对顶砧集成器件的方法在审
| 申请号: | 202210465682.8 | 申请日: | 2022-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN114988352A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 赵帅;戴深宇;郭奥钿 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
| 主分类号: | B81C99/00 | 分类号: | B81C99/00 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 吴士卿 |
| 地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金刚石 集成 器件 方法 | ||
1.一种金刚石对顶砧集成器件的方法,其特征在于,所述方法包括:
在微阵列模板的表面上形成液相层,所述液相层由具有所述器件的制备材料的有机溶液构成;所述制备材料具有液相蒸发重结晶性质;
将金刚石对顶砧的砧面与所述微阵列模板的表面贴合,以使所述液相层位于所述金刚石对顶砧的砧面与所述微阵列模板之间,得到复合体;
烘干所述复合体,得到砧面集成有所述器件的目标金刚石对顶砧;所述器件的微结构阵列对应于所述微阵列模板的形状。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在微阵列模板的表面上形成液相层,包括:
将所述具有所述器件的制备材料的有机溶液滴加在所述微阵列模板的表面上,形成所述液相层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述具有所述器件的制备材料的有机溶液的滴加量为3-10μL。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘干所述复合体,得到砧面集成有所述器件的目标金刚石对顶砧,包括:
烘干所述复合体,以在所述金刚石对顶砧的砧面形成所述器件;
将烘干后的复合体静置冷却后,分离所述复合体,得到所述目标金刚石对顶砧。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在微阵列模板的表面上形成液相层之前,所述方法还包括:
利用第一溶剂配置预设浓度的所述具有所述器件的制备材料的有机溶液;其中,所述第一溶剂为二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、甲苯、正己烷、氯苯、环己烷以及石油醚中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述将金刚石对顶砧的砧面与所述微阵列模板的表面贴合之前,所述方法还包括:
利用第二溶剂对所述金刚石对顶砧的砧面进行预清洗;
对所述预清洗后的所述金刚石对顶砧的砧面进行干燥处理;
对所述干燥处理后的所述金刚石对顶砧的砧面进行等离子清洗。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第二溶剂为无水乙醇和/或丙酮。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将金刚石对顶砧的砧面与所述微阵列模板的表面贴合,包括:
将所述金刚石对顶砧的砧面与所述微阵列模板的表面平行贴合。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述复合体的烘干温度为60-200℃,烘干时长为8-24小时。
10.根据权利要求1-9任一项所述的方法,其特征在于,所述微阵列模板为经过光刻工艺加工得到的具有表面微结构阵列的硅片,其中,所述表面微结构阵列包括多个微结构,任一所述微结构的尺寸为10μm-50μm、高为10μm-15μm,相邻两个微结构之间的间隙为10μm-50μm。
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