[发明专利]一种贵金属修饰复合型气体传感器

权利要求书

1.一种贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述传感器由下到上依次包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，所述电极层包括三个电极，所述三个电极固定设置于所述基底层上，且相互之间不接触，所述金属氧化物半导体薄膜层固定设置于所述电极层远离所述基底层一侧，所述金属氧化物半导体薄膜层包括一个第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，分别完全覆盖所述三个电极，所述第一金属氧化物半导体薄膜远离所述电极层一侧固定设置有石墨烯薄膜，所述两个第二金属氧化物半导体薄膜远离所述电极层一侧固定设置有贵金属纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述三个电极平行设置于所述基底层的中间和两侧，其中中间位置的为正极，看两侧位置的为两个负极。

3.根据权利要求2所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体薄膜完全覆盖所述正极，所述两个第二金属氧化物半导体薄膜薄膜完全覆盖所述两个负极。

4.根据权利要求3所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述两个第二金属氧化物半导体薄膜的材料为两种不同的金属氧化物半导体。

5.根据权利要求4所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述两个第二金属氧化物半导体薄膜的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述三个电极均由周期型排列的指状电极组成。

7.根据权利要求6所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述三个电极的厚度均为5μm-10μm。

8.根据权利要求7所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述石墨烯薄膜的面积与所述第一金属氧化物半导体薄膜的面积相同。

9.根据权利要求8所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述基底层的材料为三氧化二铝。

10.根据权利要求9所述的贵金属修饰复合型气体传感器，其特征在于，所述贵金属纳米颗粒的材料为金或银或铂。