[发明专利]C/C复合材料长时抗氧化烧蚀HfB2 在审
申请号: | 202210457711.6 | 申请日: | 2022-04-27 |
公开(公告)号: | CN114874028A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 张佳平;侯佳琪;李贺军;付前刚;周磊 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87;C04B35/565;C04B35/58;C04B35/622 |
代理公司: | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 长时抗 氧化 hfb base sub | ||
本发明涉及一种C/C复合材料长时抗氧化烧蚀HfB2‑SiC‑TaSi2涂层的制备方法,通过料浆涂覆辅助高温气相渗硅法在C/C复合材料表面制备HfB2‑SiC‑TaSi2涂层。具体过程为:将C/C复合材料清洗后烘干备用;通过料浆涂覆在C/C复合材料表面制备树脂‑SiC内预涂层和树脂‑HfB2‑SiC‑TaSi2外预涂层;高温碳化‑气相渗硅法获得HfB2‑SiC‑TaSi2涂层。在HfB2‑SiC涂层中加入适量的TaSi2,提高涂层高温表面生成的玻璃相的阻氧能力和稳定性,使涂层具有良好的长时抗烧蚀性能。料浆涂覆结合高温气相渗硅法通过预涂层的组分、含量和厚度的合理控制,缓解涂层与C/C基体热膨胀不匹配和实现HfB2、TaSi2含量控制。料浆涂覆结合高温气相渗硅法通过调控颗粒尺寸以及树脂含量,提高涂层的致密性以及其与C/C基体的结合性。
技术领域
本发明属于C/C复合材料涂层技术领域,涉及一种C/C复合材料长时抗氧化烧蚀HfB2-SiC-TaSi2涂层的制备方法。
背景技术
碳/碳(C/C)复合材料是指以碳纤维及其织物为增强材料,以碳(或石墨)为基体,通过致密化和石墨化处理制成的复合材料,由于其低密度、低热膨胀系数、优异的高温性能而被广泛应用于航空航天领域。但其在高温有氧环境下极易被氧化,这种氧化敏感性严重地限制了其使用范围。高温涂层技术是提升C/C复合材料抗氧化性能的有效方法。
近年来,C/C复合材料表面的高温涂层以陶瓷涂层为主,SiC因其与C/C复合材料的热膨胀系数相近,在高温下可以产生致密的SiO2玻璃层,保护基体不被氧化而成为主要的涂层材料。但当温度超过1500℃时,SiO2玻璃层稳定性下降,SiC涂层的抗氧化能力受到限制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210457711.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。