[发明专利]一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210447717.5 申请日: 2022-04-26
公开(公告)号: CN114806580B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 张军;刘勇 申请(专利权)人: 南京贝迪新材料科技股份有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C01G11/00;B82Y40/00;B82Y20/00
代理公司: 南京禾祁专利代理事务所(普通合伙) 32462 代理人: 孟捷
地址: 211122 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 显示 器件 zncdse 合金 qds 制备 方法
【说明书】:

在本发明涉及一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法,具体是,通过使用油酸、油胺和十八碳烯三元溶剂体系,可有效降低ZnCdSe合金核QDs的半峰宽,提升量子效率,降低/减少反应温度/时间等;并通过调整锌源的量实现了量子点在红光(610‑630nm)和绿光(510‑530nm)精准发光;具有半峰宽窄、粒径可控、发光纯度高、量子效率高、能耗低、操作方便等优势。

技术领域

本发明属于显示技术领域,特别涉及一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法。

背景技术

量子点(简称QDs)也称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒,其粒径一般介于1-10nm之间。量子点受光激发后可以发光,其可被用于制作量子点光学膜,进而与Mini/Micro LED光源等配合使用在包括大尺寸电视、显示器、笔记本电脑、智能手机、AR/VR等领域。

目前现有技术有众多量子点的制备方法,例如CN112680214A公开了一种ZnCdSe晶种的制备,其中其得到的ZnCdSe晶种发射波长为472-610nm,半峰宽为24-35nm,该方法反应温度较高,能耗高,且制备的量子点半峰宽较宽,色纯度较差,发光颜色不易控制等;CN111592876B公开了一种核壳结构量子点及其制备方法,其中先将锌源-镉源升温到310℃,再加入硒源反应60min,所形成的为核壳量子点,并不是以ZnCdSe合金为核的QDs,其晶核组成主要为CdSe,中间过渡层的组成主要为ZnCdSe,表层的组成主要为ZnSe,且量子点的粒径较大,还需要在高温下进行长时间的反应,能耗较高等。

由于目前LED中GaN蓝光已进入商业化应用,而与LED光源配合的量子点主要以开发发射红、绿光的量子点最为迫切,需要开发具有色纯度高、量子效率高、发光颜色易于调节、能耗低、操作方便等优势的量子点及其制备方法。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种具有色纯度高、量子效率高、发光颜色易于调节、能耗低、操作方便等优势的ZnCdSe合金核QDs的制备方法。

具体地,本发明一种用于显示器件的ZnCdSe合金核QDs的制备方法,包括如下步骤:

1)硒粉置于第一溶剂中,得到硒前驱体溶液;

2)镉源、锌源为前驱体,油酸、油胺和十八碳烯作为溶剂,混合得到前驱体溶液;

3)将硒前驱体溶液快速注入步骤2)的前驱体溶液中,加热反应;

4)降温,加入第二溶剂沉降,固液分离得到ZnCdSe合金核QDs;

所述第第一溶剂优选为三辛基膦、三丁基膦中的一种或两种,更优选为三辛基膦;

所述步骤1)中任选的包括超声振荡;

所述步骤1)中第一溶剂与硒粉的体积(mL)/物质的量(mmol)的比值为5-20,优选为8-14,更优选为10;

所述步骤2)中的镉源选自氧化镉、氯化镉、硝酸镉、油酸镉、硬脂酸镉、癸酸镉、月桂酸镉中的一种或多种,优选为氧化镉或氯化镉,更优选为氧化镉;

所述步骤2)中的锌源选自乙酸锌、氯化锌、硝酸锌、油酸锌、硬脂酸锌、癸酸锌、月桂酸锌中的一种或多种,优选为乙酸锌或月桂酸锌;

所述硒粉与镉源的摩尔比可为1-3:1-3,优选为3:2;

所述镉源与锌源的摩尔比可为1-3:1-3,优选为1:1或2:3;

所述步骤2)中,油酸、油胺和十八碳烯的体积比为0.1-5:0.1-5:0.1-5,优选为0.5-3:0.5-3:0.5-3,更优选为0.5-3:0.5-3:3,进一步优选为1:1:1;

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