[发明专利]一种全周期的电感电流采样电路

权利要求书

1.一种全周期的电感电流采样电路，包括电感L，采样电阻R_sense、NMOS功率管M1、PMOS功率管M2、恒流源I_b、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3，NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、PMOS管MP1，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、电阻R₀、电阻R₁和电阻R₂，其特征在于：所述电感L一端与R₀一端相连接，所述R₀另一端连接有输入电压V_IN，所述电感L另一端与NMOS功率管M1漏极相连接，所述NMOS功率管M1漏极与PMOS功率管M2源极相连接，所述恒流源I_b一端与NMOS管MN1漏极相连，所述NMOS管MN1栅极与NMOS管MN2栅极短接，所述NMOS管MN1栅极与NMOS管MN1漏极短接，所述PMOS管MP3漏极和PMOS管MP7漏极均与NMOS管MN2漏极短接，所述PMOS管MP3栅极和PMOS管MP7栅极均与NMOS管MN2漏极连接，所述PMOS管MP3源极与PMOS管MP1漏极相连接，所述PMOS管MP7源极与PMOS管MP5漏极相连接，所述PMOS管MP1栅极与PMOS管MP3源极短接，所述PMOS管MP5栅极与PMOS管MP7源极短接，所述PMOS管MP2栅极与PMOS管MP1栅极相连接，所述PMOS管MP2漏极与PMOS管MP4源极短接，所述PMOS管MP4漏极与NMOS管MN3漏极连接，所述NMOS管MN3漏极和NMOS管MN3栅极短接，所述NMOS管MN3栅极与NMOS管MN4栅极连接，所述PMOS管MP5栅极与PMOS管MP6栅极短接，所述PMOS管MP6漏极与PMOS管MP8源极相连接，所述PMOS管MP8栅极与PMOS管MP7栅极短接，所述PMOS管MP8漏极与NMOS管MN4漏极相连接，所述NMOS管MN4漏极与NMOS管MN5栅极短接，所述NMOS管MN5栅极与NMOS管MN6栅极连接，所述NMOS管MN6漏极与PMOS管MP11漏极短接；

所述PMOS管MP11漏极与PMOS管MP11栅极短接，所述PMOS管MP11源极与PMOS管MP9漏极连接，所述PMOS管MP9漏极与PMOS管MP9栅极短接，所述PMOS管MP9栅极与PMOS管MP10栅极相连接，所述PMOS管MP11栅极与PMOS管MP12栅极短接，所述PMOS管MP10漏极与PMOS管MP12源极相连接，所述PMOS管MP12漏极连接有采样电阻R_sense，所述采样电阻R_sense一端连接有采样电压U_s，所述PMOS管MP1源极和PMOS管MP2源极均与电阻R₁一端相连接，所述电阻R₁另一端与电阻R₀一端相连接，所述PMOS管MP5源极、PMOS管MP6源极和MOS管MN5漏极均与电阻R₂一端相连接，所述电阻R₂另一端与电阻R₀另一端相连接，所述PMOS管MP9源极、PMOS管MP10源极和恒流源I_b另一端均与输入电压V_IN相连接，所述NMOS功率管M1源极、NMOS管MN1源极、NMOS管MN2源极、NMOS管MN3源极、NMOS管MN4源极、NMOS管MN5源极、NMOS管MN6源极和采样电阻R_sense另一端均与地相连接。

2.根据权利要求1所述的一种全周期的电感电流采样电路，其特征在于：所述PMOS管MP1，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11和PMOS管MP12的沟道长度和宽长比均相同，所述电阻R₁和电阻R₂的阻值均相同，所述NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6的沟道长度和宽长比均相同。