[发明专利]一种微型自锁结构晶体控温装置有效

专利信息
申请号: 202210438205.2 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114552333B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 吴雄飞;李康;徐进林 申请(专利权)人: 武汉华日精密激光股份有限公司
主分类号: H01S3/02 分类号: H01S3/02
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 徐瑛
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 微型 结构 晶体 装置
【权利要求书】:

1.一种微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:包括由外到内依次布置的安装支架、中间壳层和晶体座,所述安装支架为卡箍式结构,其侧壁上预留有第一伸缩缝隙,所述晶体座上预留有晶体容纳腔、用于安装温度传感器的安装槽一以及用于安装加热元件的安装槽二,所述温度传感器外接PID温度反馈调节电路,所述中间壳层侧壁上预留有第二伸缩缝隙,所述安装支架和晶体座所采用材质的线膨胀系数均小于中间壳层所采用材质的线膨胀系数,所述晶体座与中间壳层之间通过内嵌卡合结构连接;

所述安装支架的第一伸缩缝隙处设置螺钉安装孔,使安装支架包裹中间壳层和晶体座后通过螺钉锁紧;或者所述安装支架与中间壳层之间通过内嵌卡合结构连接。

2.如权利要求1所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述晶体座与中间壳层之间通过内嵌卡合结构连接,该内嵌卡合结构包括设置于晶体座外侧的卡槽以及设置于中间壳层内侧壁的凸台,所述凸台与卡槽对应配合连接。

3.如权利要求2所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述安装支架上预留的第一伸缩缝隙宽度H略大于ΔL1,所述中间壳层上预留的第二伸缩缝隙宽度h略大于ΔL1-ΔL2,且ΔL11·L1·Δt,ΔL22·L2·Δt,其中α1为中间壳层的线膨胀系数,L1为常温下中间壳层边长,α2为晶体座的线膨胀系数,L2为常温下晶体座边长,Δt为中间壳层和晶体座共同升温温度。

4.如权利要求1所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述晶体座采用金属材质制成,包括底座和晶体盖,所述安装槽二位于底座的底部,所述晶体容纳腔和安装槽一位于底座的上部,且晶体容纳腔和安装槽一等距面布置,所述晶体盖覆盖于晶体容纳腔和安装槽一上方,且晶体盖与底座通过螺钉固定连接。

5.如权利要求4所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述底座的四角上对称设有垂直于底座底面的限位柱,四个限位柱围合形成的空间构成安装槽二。

6.如权利要求4所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述底座的上部设有上方开口的凹槽结构,所述晶体盖内侧壁对应此凹槽结构处设有与凹槽配合的限位凸块,该凹槽结构与晶体盖围合形成的腔体构成晶体容纳腔。

7.如权利要求4所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述晶体座的底座侧边开设L型缺口结构,该L型缺口结构与晶体盖围合形成的空间构成安装槽一。

8.如权利要求2所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述卡槽设有4个,分别设于晶体座的上下左右四个面上,所述中间壳层内侧壁的凸台与卡槽对应布置。

9.如权利要求2所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述中间壳层采用高分子材料制成,所述中间壳层的内周长略小于晶体座的外周长。

10.如权利要求9所述的微型自锁结构晶体控温装置,其特征在于:所述中间壳层包括上下相对布置的上壳层和下壳层,所述上壳层和下壳层之间留有间隙形成中间壳层的第二伸缩缝隙。

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