[发明专利]一种基于网络编码的RAM利用率提升方法有效
申请号: | 202210438122.3 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114756403B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 李磊;周婉婷;胡剑浩 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;H03M13/27 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 网络 编码 ram 利用率 提升 方法 | ||
本发明公开了一种基于网络编码的RAM利用率提升方法,包括以下步骤:S1、交织写操作:利用交织控制位对原始数据序列进行重组,生成重组数据序列;S2、编码操作:对重组数据序列xi进行异或操作,得到重组数据序列的网络编码位Ei;S3、RAM写入:将重组数据序列xi及对应的网络编码位Ei写入RAM中;S4、RAM读出:把RAM写入逻辑中写入的数据读出,产生m个小序列x′i和产生m个对应的网络编码位E′i;S5、基于网络编码的纠错;S6、交织读操作。本发明基于异或操作和选择操作,运算简单高效,不仅无需占用太多的硬件资源,而且不会引入太多的延迟信息,可以直接嵌入到RAM控制中,提升RAM的利用率和容错性。
技术领域
本发明属于计算机和集成电路领域,特别涉及一种基于网络编码的RAM利用率提升方法。
背景技术
随着科技的进步,集成电路中的RAM正朝两个重要方向发展。一是随着集成电路特征尺寸的缩小和低功耗要求,单个RAM单元的面积越来越小,工作电压越来越低。这就使得RAM单元越来越敏感。另一个是随着人们对性能和应用越来越高的需求,RAM的容量越来越大。随着集成电路规模的增大和集成度的提高,系统所需的RAM的数量越来越多。在典型应用的SoC芯片中,RAM已经占到总芯片面积的30%以上,甚至更高。在集成电路的生产过程中,由于加工工艺、超净间尘埃等影响,在RAM中会产生一些缺陷,特别是在纳米工艺下。由于缺陷的存在,RAM中的有些单元将无法利用。在某些有尘埃颗粒的地方,会引起多个RAM单元的功能缺陷。针对RAM中的缺陷,一般采用两种解决方法:
(1)禁用缺陷word:一般采用的方法是在一个word中发现有一个缺陷,将会把整个word禁用。优点:简单,易于实现。缺点:由于禁用了不少word中可以正常使用的RAM单元,RAM的利用率不高。例如一个32bits的word,里面只有一个bit cell有缺陷,将会禁用整个32bits的word。
(2)传统纠错码。优点:由于通过纠错码引入了纠错能力,一些存在缺陷的word也可以使用,提升了RAM的利用率。缺点:纠错码会引入额外的冗余位,而且由于纠错码本身的运算逻辑复杂,会引入不小的面积开销和延迟。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种基于异或操作和选择操作,运算简单高效,不仅无需占用太多的硬件资源,而且不会引入太多的延迟信息,可以直接嵌入到RAM控制中,提升RAM的利用率和容错性的基于网络编码的RAM利用率提升方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种基于网络编码的RAM利用率提升方法,包括以下步骤:
S1、交织写操作:利用交织控制位对原始数据序列进行重组,生成重组数据序列;
S2、编码操作:对重组后的数据序列xi进行异或操作,得到重组数据序列的网络编码位Ei:
Ei=^xi[n-1:0]
其中^为异或运算;
S3、RAM写入:将编码后的重组数据序列xi及对应的网络编码位Ei写入RAM中;
S4、RAM读出:把RAM写入逻辑中写入的数据读出,产生m个小序列x′i和产生m个对应的网络编码位E′i;
S5、基于网络编码的纠错;
S6、交织读操作:在交织控制位的控制下,对m个小序列xi进行重组生成原始数据序列x[n*m-1:0]。
进一步地,所述步骤S1具体实现方法为:具体实现方法为:假设原始数据序列共有n*m位,编号为0~n*m-1,原始数据序列表示为x[n*m-1:0],重组后分为m个小的数据序列xi,i∈[0,m-1],重组方法为:
xi[n-1:0]={xi[j]=x[i+j*m] j∈[0,n-1]
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