[发明专利]一种基于单极距的激电测深方法

权利要求书

1.一种基于单极距的激电测深方法，包括如下步骤：

S1.确定待测深区域；

S2.对待测深区域进行测深观测，得到测深观测数据；

S3.根据步骤S2得到的测深观测数据，计算得到充电率衰减曲线；

S4.得到所有测点的充电率衰减曲线，并计算得到背景充电率衰减曲线；

S5.计算各个测点的充电率衰减曲线与背景充电率衰减曲线的比值曲线；

S6.根据步骤S5得到的比值曲线，计算各个测点的相对比值曲线；

S7.根据步骤S6得到的各个测点的相对比值曲线，计算得到不同时间对应不同深度的充电率相对比值，完成最终的单极距激电测深。

2.根据权利要求1所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S2所述的对待测深区域进行测深观测，得到测深观测数据，具体包括如下步骤：

采用中梯装置进行观测；中梯装置的供电极距设置为最大测深的N倍，N为设定的倍数，且取值范围为N∈[4,10]；

在中梯装置的主轴剖面、以及与主轴平行的旁侧剖面进行观测；

观测时，仅布置一次供电电极，实现若干个测点的测深数据观测；供电发射50％占空比的双极性方波，在断电后的间歇期观测得到激电二次场随时间衰减的曲线U-t，关断前电压值为U₀，关断起始时刻为0时刻，观测不同延时t_i所对应的电压值U_i，从而得到测深观测数据。

3.根据权利要求2所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S3所述的根据步骤S2得到的测深观测数据，计算得到充电率衰减曲线，具体为计算得到充电率衰减曲线M-t；曲线上的点t_i所对应的充电率M_i为

4.根据权利要求3所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S4所述的得到所有测点的充电率衰减曲线，并计算得到背景充电率衰减曲线，具体为得到所有测点的充电率衰减曲线，计算所有测点在点t_i的充电率M_i的平均值M_ai，从而得到背景充电率衰减曲线M_a-t。

5.根据权利要求4所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S5所述的计算各个测点的充电率衰减曲线与背景充电率衰减曲线的比值曲线，具体为计算各个测点在点t_i的充电率M_i与背景充电率衰减曲线在t_i的背景充电率M_ai的比值R_i，从而得到比值曲线R-t。

6.根据权利要求5所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S6所述的根据步骤S5得到的比值曲线，计算各个测点的相对比值曲线，具体为将步骤S6得到的各个测点的比值曲线，减去自身的比值曲线中的最小值，从而得到各个测点的相对比值曲线R_c-t。

7.根据权利要求6所述的一种基于单极距的激电测深方法，其特征在于步骤S7所述的根据步骤S6得到的各个测点的相对比值曲线，计算得到不同时间对应不同深度的充电率相对比值，完成最终的单极距激电测深，具体为根据步骤S6得到的各个测点的相对比值曲线，计算得到不同时间对应不同深度的充电率相对比值，得到测深曲线Rc-H；具体包括如下步骤：

采用时分深度的方法计算不同时间t_i所对应的视深度：

最大深度H由供电极距AB确定，且N为设定的倍数，且N≥5；

不同时间t_i对应的视深度H_i为T＝供电时间＝断电时间；

重复步骤S6和S7，得到不同深度的测深曲线Rc-H。