[发明专利]改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法在审
| 申请号： | 202210401025.7 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114509657A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 赖福东;刘翔 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 wat 测试 精度 单元 及其 方法 | ||
1.一种改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于，所述改善WAT测试精度的测试单元包括：
MOS晶体管区，包括N个特征尺寸相同的MOS晶体管，N≥2，所述MOS晶体管包括源极、漏极、栅极及衬底；
金属区，位于所述MOS晶体管区上方，所述金属区包括源极金属区、漏极金属区、栅极金属区及衬底金属区；
互连金属线，用于将所述MOS晶体管的所述源极与所述源极金属区连接，所述漏极与所述漏极金属区连接，所述栅极与所述栅极金属区连接，所述衬底与所述衬底金属区连接，使得N个所述MOS晶体管以并联的形式连接。
2.根据权利要求1所述的改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于：N个所述MOS晶体管处于同一水平线上，N个所述MOS晶体管的源极、漏极及栅极分别处于同一水平线。
3.根据权利要求1所述的改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于：N的数量为10。
4.根据权利要求1所述的改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于：相邻两所述MOS晶体管之间具有间隔，所述间隔不小于0.28μm。
5.根据权利要求1所述的改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于：所述MOS晶体管为P型MOS晶体管或N型MOS晶体管极。
6.根据权利要求5所述的改善WAT测试精度的测试单元，其特征在于：所述MOS晶体管区的N个所述MOS晶体管区型号相同。
7.一种如权利要求1~6中任一项所述的改善WAT测试精度的测试单元的测试方法，其特征在于，所述改善WAT测试精度的测试单元的测试方法包括：
S1：提供所述改善WAT测试精度的测试单元；
S2：对所述改善WAT测试精度的测试单元进行测试，获取所述测试单元的漏电流总值Iall；
S3：获取N个所述MOS晶体管的宽度总值Wall；
S4：获取所述MOS晶体管的漏电流Ioff=Iall/Wall。
8.根据权利要求7所述的改善WAT测试精度的测试单元的测试方法，其特征在于：获取所述测试单元的漏电流总值为pA级别。
9.根据权利要求7所述的改善WAT测试精度的测试单元的测试方法，其特征在于：所述MOS晶体管的宽度总值为Wall＝NWi，其中Wi为单个所述MOS晶体管的宽度。
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