[发明专利]一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管及其加工方法在审
申请号: | 202210378130.3 | 申请日: | 2022-04-12 |
公开(公告)号: | CN114876673A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 李吉鹏;舒畅;马超 | 申请(专利权)人: | 西安零壹空间科技有限公司;重庆零壹空间航天科技有限公司;重庆零壹空间科技集团有限公司;北京零壹空间电子有限公司;北京零壹空间技术研究院有限公司 |
主分类号: | F02K9/97 | 分类号: | F02K9/97;B23P15/00 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 张景根 |
地址: | 710000 陕西省西安市沣东新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 耐烧蚀 嵌入式 喷管 及其 加工 方法 | ||
1.一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,具有内部喷管通道,其特征在于,包括回转式壳体,所述回转式壳体包括收敛段和扩张段,所述扩张段形成开口逐渐扩大的喇叭口形,所述扩张段内壁设置扩张保护层,所述扩张段远离开口的一端延伸形成所述收敛段,所述扩张段靠近所述收敛段的一端设置有限位凸台,所述收敛段与所述扩张段的连接处的外壁还设置收敛固定壳体,所述收敛段内壁设置背衬;所述收敛固定壳体靠近所述收敛段的一侧与所述扩张段外壁之间设置有收敛保护层,所述收敛保护层和所述背衬均超出收敛段的边缘并相互连接;所述背衬上由外向内依次设置第一耐烧蚀层及第二耐烧蚀层,所述第一耐烧蚀层、第二耐烧蚀层及收敛保护层形成所述内部喷管通道,所述第一耐烧蚀层与所述第二耐烧蚀层之间设置堵盖,所述堵盖完全封堵所述内部喷管通道。
2.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述收敛固定壳体向所述扩张段倾斜设置,外侧设置有螺栓连接孔。
3.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述第一耐烧蚀层呈圆弧形包绕在所述收敛段的端部并向外延伸至所述收敛保护层上;所述背衬位于所述收敛段内部的内壁上设置有第二耐烧蚀层,所述堵盖位于收敛段远离所述扩张段的端部。
4.根据权利要求3所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述第二耐烧蚀层向所述扩张段延伸并部分覆盖到所述扩张段上,所述第二耐烧蚀层与扩张保护层之间形成平滑过渡。
5.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述壳体采用30CrMnSiA,所述背衬、收敛保护层及扩张保护层均采用碳纤维/酚醛模压材料,所述第一耐烧蚀层及第二耐烧蚀层均采用钨渗铜材料,所述堵盖采用铝合金。
6.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述扩张段上设置有螺钉用于固定所述扩张固定层。
7.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述限位凸台靠近所述扩张段一侧设置有密封槽,所述密封槽内设置有密封圈。
8.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述内部喷管通道上所有接缝间隙均涂抹D03(L)硅橡胶。
9.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管,其特征在于,所述内部喷管通道内壁是平滑过渡的流道型面。
10.根据权利要求1所述的一种低成本耐烧蚀嵌入式喷管的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、加工壳体、第一耐烧蚀层、第二耐烧蚀层、堵盖、背衬及收敛保护层和扩张保护层成型,壳体内表面喷砂处理;
S2、将所述第二耐烧蚀层与所述背衬用环氧树脂胶粘接为粘接组合件,然后将粘接组合件用环氧树脂胶粘接至壳体收敛段的内壁;
S3、将第一耐烧蚀层用环氧树脂胶与背衬、收敛保护层相粘接,在第一耐烧蚀层与收敛保护层、第一耐烧蚀层与第二耐烧蚀层之间间隙处涂抹硅橡胶;
S4、采用环氧树脂胶将扩张保护层粘接在扩张端内壁,形成待加工组合件;
S5、将S4中待加工组合件在车床上精加工光滑的内型面;
S6、将堵盖采用环氧树脂胶粘接至喷管内部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安零壹空间科技有限公司;重庆零壹空间航天科技有限公司;重庆零壹空间科技集团有限公司;北京零壹空间电子有限公司;北京零壹空间技术研究院有限公司,未经西安零壹空间科技有限公司;重庆零壹空间航天科技有限公司;重庆零壹空间科技集团有限公司;北京零壹空间电子有限公司;北京零壹空间技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210378130.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种液压加肥机构
- 下一篇:半导体器件、半导体单元结构及其形成方法