[发明专利]一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法在审
| 申请号： | 202210369051.6 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114808144A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 霍晨亮 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学珠海校区 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/24;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思真远达专利代理事务所(特殊普通合伙) 31481 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 519087 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 晶体 金字塔结构 方法 | ||
1.一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有处理液的容器中；
(2)在20℃下反应10分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔结构绒面；
(3)在20℃下反应20分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔结构绒面；
(4)将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。
2.根据权利要求1所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，步骤(1)中所述的晶体硅片是单晶硅片、准单晶硅片中的一种。
3.根据权利要求1所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，步骤(1)中所述的处理液为硝酸铜、硝酸和氢氟酸混合溶液。
4.根据权利要求3所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，所述的硝酸铜浓度为0.005-0.5mol/L，硝酸浓度为0.1-1mol/L，氢氟酸浓度为0.5-10mol/L。
5.根据权利要求1所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，步骤(1)中所述的处理液为硝酸铜、硝酸铁和氢氟酸混合溶液。
6.根据权利要求5所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，所述的硝酸铜浓度为0.005-0.5mol/L，硝酸铁浓度为0.05-3mol/L，氢氟酸浓度为0.5-10mol/L。
7.根据权利要求1所述一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，其特征在于，步骤(2)中腐蚀得到的大面积微纳倒金字塔绒面和步骤(3)中腐蚀得到的正金字塔结构绒面均可用于硅太阳能电池工业化制备。
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