[发明专利]用于分析物传感器的六甲基二硅氧烷膜

权利要求书

1.一种制造分析物传感器设备的方法，所述方法包括：

提供基底层；

在所述基底层上方形成导电层，其中所述导电层包含工作电极；

在所述导电层上方形成分析物感测层，其中所述分析物感测层包含能在分析物存在的情况下改变所述导电层中的所述工作电极处的电流的组合物；

在所述分析物感测层上方形成分析物调节层，其中：

所述分析物调节层由被选择为抑制葡萄糖、3-羟基丁酸和/或烟酰胺腺嘌呤二核苷酸穿过其扩散的材料形成；并且

所述分析物调节层包括六甲基二硅氧烷并且是使用等离子体气相沉积方法在所述分析物感测层上方形成的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分析物感测层被形成为包括酶，所述酶选自由葡萄糖氧化酶和3-羟基丁酸脱氢酶组成的组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述分析物调节层被形成为厚度介于100nm与1000nm之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述传感器中形成一个或多个额外层，所述一个或多个额外层包括：

粘附促进层；

干扰抑制层；

包括烟酰胺腺嘌呤二核苷酸的层；

抑制烟酰胺腺嘌呤二核苷酸穿过其扩散的屏障层；或

蛋白质层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述屏障层被形成为厚度介于100nm与1000nm之间；

所述屏障层被形成为包括端口；

所述粘附促进层和/或所述干扰抑制层包括六甲基二硅氧烷。

6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括对层执行预处理步骤，其中所述预处理步骤包括暴露于气体等离子体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气相沉积方法包括：

介于40秒-400秒之间(例如，介于20秒-50秒之间)的持续时间；

介于50mTorr与200mTorr之间的压力；

介于140W-210W之间的RF功率；

介于10sccm与20sccm之间的六甲基二硅氧烷流速；和/或

介于10sccm与50sccm之间的N2O流速。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气相沉积方法为脉冲沉积方法或双等离子体气相沉积方法。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述分析物调节层基本上由六甲基二硅氧烷组成。

10.一种分析物传感器设备，其包括：

基底层；

安置在所述基底层上方的导电层，其中所述导电层包含工作电极；

安置在所述导电层上方的分析物感测层，其中所述分析物感测层包含能在分析物存在的情况下改变所述导电层中的所述工作电极处的电流的组合物；

安置在所述分析物感测层上方的分析物调节层，其中：

所述分析物调节层调节葡萄糖、3-羟基丁酸和/或烟酰胺腺嘌呤二核苷酸穿过其扩散；并且

所述分析物调节层包括使用等离子体气相沉积方法安置在所述分析物感测层上方的六甲基二硅氧烷。

11.根据权利要求10所述的分析物传感器设备，其中所述分析物感测层包括酶，所述酶选自由葡萄糖氧化酶和3-羟基丁酸脱氢酶组成的组。

12.根据权利要求10所述的分析物传感器设备，其中所述分析物调节层的厚度介于100nm与1000nm之间。

13.根据权利要求10所述的分析物传感器设备，其进一步包括在所述传感器中形成一个或多个额外层，所述一个或多个额外层包括：

粘附促进层；

包括烟酰胺腺嘌呤二核苷酸的层；

抑制烟酰胺腺嘌呤二核苷酸穿过其扩散的屏障层；

高密度胺层；或

蛋白质层。