[发明专利]用于安全排气的熔断器壳体在审
申请号: | 202210362900.5 | 申请日: | 2022-04-07 |
公开(公告)号: | CN115206747A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 恩格尔贝特·海茨曼赛德;罗伯特·加维洛 | 申请(专利权)人: | 力特保险丝公司 |
主分类号: | H01H85/165 | 分类号: | H01H85/165;H01H85/38 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 安全 排气 熔断器 壳体 | ||
1.一种熔断器壳体,其包括顶部部分和底部部分,所述底部部分进一步包括:
设置在左侧的第一迷宫壁,所述第一迷宫壁形成第一路径,用于当熔断器元件断开时排气材料自熔断器壳体的移动;
设置在右侧的第二迷宫壁,所述第二迷宫壁形成第二路径,用于当熔断器元件断开时排气材料自熔断器壳体的移动;
设置在第一路径的第一出口处的第一通气通道;以及
设置在第二路径的第二出口处的第二通气通道。
2.根据权利要求1所述的熔断器壳体,所述底部部分进一步包括:
设置在第一迷宫壁上的第一接收孔口;和
设置在第二迷宫壁上的第二接收孔口。
3.根据权利要求2所述的熔断器壳体,其中,所述第一接收孔口设置在所述第一迷宫壁内的第一凸起的结构的上方,并且所述第二接收孔口设置在所述第二迷宫壁内的第二凸起的结构的上方。
4.根据权利要求3所述的熔断器壳体,其中,所述第一凸起的结构是d形的,所述第二凸起的结构是q形的。
5.根据权利要求4所述的熔断器壳体,所述底部部分进一步包括:
设置在第一迷宫壁上的第一圆柱形突起;和
设置在第二迷宫壁上的第二圆柱形突起。
6.根据权利要求5所述的熔断器壳体,其中,所述第一圆柱形突起设置在所述第一迷宫壁内的第三凸起的结构的上方,并且所述第二圆柱形突起设置在所述第二迷宫壁内的第四凸起的结构的上方。
7.根据权利要求6所述的熔断器壳体,其中,所述第三凸起的结构是p形的,所述第四凸起的结构是b形的。
8.根据权利要求7所述的熔断器壳体,所述顶部部分进一步包括:
与所述第一接收孔口配合的第三圆柱形突起;和
与所述第二接收孔口配合的第四圆柱形突起。
9.根据权利要求1所述的熔断器壳体,所述底部部分进一步包括设置在中心部分中的多个肋,其中,所述中心部分进一步容纳熔断器元件。
10.一种熔断器壳体,其包括:
设置在第一侧上的第一迷宫壁,其中,第一迷宫壁通过第一通气通道终止;
设置在第二侧上的第二迷宫壁,其中,第二迷宫壁通过第二通气通道终止,第一通气通道和第二通气通道具有第一深度,并且第一迷宫壁和第二迷宫壁具有第二深度,其中,所述第二深度显著大于所述第一深度;以及
设置在熔断器壳体的中心部分中的多个肋,所述多个肋设置在熔断器元件的下方;
其中,包括气态材料、熔融金属和碳化塑料的排气材料在电弧事件期间被抽吸通过所述第一迷宫壁和第二迷宫壁,使得熔融金属和碳化塑料基本上保留在所述第一迷宫壁和第二迷宫壁中,而气态材料通过所述第一通气通道和第二通气通道逸出。
11.根据权利要求10所述的熔断器壳体,其中,所述第一迷宫壁设置在第一端子的下方,所述第二迷宫壁设置在第二端子的下方,其中,所述第一端子和第二端子通过所述熔断器元件联接在一起。
12.根据权利要求11所述的熔断器壳体,所述第一迷宫壁进一步包括第一凸起的结构和第二凸起的结构,其中,所述第一凸起的结构和所述第二凸起的结构形成蜿蜒的路径,在电弧事件期间,排气材料行进穿过所述蜿蜒的路径。
13.根据权利要求12所述的熔断器壳体,其中,所述第一凸起的结构是p形的,所述第二凸起的结构是d形的。
14.根据权利要求11所述的熔断器壳体,所述第二迷宫壁进一步包括第一凸起的结构和第二凸起的结构,其中,所述第一凸起的结构和所述第二凸起的结构形成蜿蜒的路径,在电弧事件期间,排气材料行进穿过所述蜿蜒的路径。
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