[发明专利]一种实质蕴含逻辑操作电路

说明书

本发明公开了一种实质蕴含逻辑操作电路，包括逻辑非门NT1，忆阻器MR₀，忆阻器MR₁和忆阻器MR₂。逻辑非门NT1的一端与输入v_p相连，逻辑非门NT1的另一端与忆阻器MR₀的一端相连，忆阻器MR₀的另一端分别与忆阻器MR₂的一端，输出v_s和忆阻器MR₁的一端相连，忆阻器MR₂的另一端接地，忆阻器MR₁的另一端与输入v_q相连。

技术领域

本发明涉及一种实质蕴含逻辑操作电路，属于电路设计领域。

背景技术

1971年，Chua根据对称性理论，推导出除电阻R、电感L和电容C以外还存在第四种基本电路元件-忆阻器。对于忆阻器的理论研究一直持续到2008年，惠普实验室才发现了第一种 P_t-TiO_2-P_t三明治结构的纳米级忆阻器实物。一方面，忆阻器具有实现存算一体器件的潜质，是突破现有的计算机架构中CPU与内存之间“存储墙”的最有力器件之一；另一方面，忆阻器也是类脑神经网络的神经突触物理实现的最优选择之一。忆阻器的这两个重要优点吸引了无数的科研工作者去开展忆阻器研究。

1940年，Claude Shannon发明了数字电路，并证明了逻辑OR，逻辑AND和逻辑NOT可以构成一个最小的逻辑完备集。而逻辑OR，逻辑AND和逻辑NOT只是Whitehead和Russen在1910年发现的四个基本逻辑操作中三个。剩下的哪个就是实质蕴含操作，可以被描述成：

s←p IMP q

实质蕴含操作的真值表为：

p	q	s
0	0	1
0	1	1
1	0	0
1	1	1

从真值表的逻辑上来看，实质蕴含操作等价于逻辑：

s＝(NOT p)OR q

目前，使用忆阻器构建的实质蕴含逻辑电路存在操作步骤多，控制繁琐的缺点。本发明提出一种操作简单，可以单步完成的实质蕴含逻辑操作电路。

发明内容