[发明专利]一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，包括：

一层吸收体；

两层以上TES薄膜，所有TES薄膜之间有序排列，直接或间接连接；至少一层TES薄膜与所述吸收体热连接；每个TES薄膜的T_c、α和尺寸不需要相同，每个TES薄膜都连接有信号读出电路；

热沉，与至少一层TES薄膜弱连接；

TES薄膜包括第1TES薄膜、第2TES薄膜、······、第n-1TES薄膜、第n TES薄膜，n是TES薄膜的排序号，为大于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，第1TES薄膜的上表面与吸收体热连接，第n-1TES薄膜的下表面与第n TES薄膜的上表面热连接，第n TES薄膜的下表面与热沉弱连接。

3.根据权利要求1所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，第1TES薄膜的上表面与吸收体热连接，第n-1TES薄膜的边缘与第n TES薄膜的边缘热连接，每个TES薄膜的下表面与热沉弱连接。

4.根据权利要求1所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，每个TES薄膜的上表面与吸收体热连接，所有TES薄膜之间无热连接，每个TES薄膜的下表面与热沉弱连接。

5.一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，由权利要求2-4所述的传感器中的任意两种或三种组合形成。

6.根据权利要求1-5任一项所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，每个TES薄膜的形状为规则形状。

7.一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供两层以上的TES薄膜，根据ΔE、E_sat与C、T、α的关系式，通过调整每个TES薄膜的材料、制备工艺和尺寸，得到T_c、α、C_TES无需相同的TES薄膜；

ΔE是与对应TES薄膜相关的超导转变边沿传感器能量分辨率、E_sat是与对应TES薄膜相关的超导转变边沿传感器的饱和能量、C是与对应TES薄膜相关的超导转变边沿传感器热容、C_TES是对应TES薄膜的热容，T是工作点温度、T_c是与T相关的超导转变温度、α是TES薄膜对温度的敏感系数，其中C_TES是C的组成部分；

S2，使用S1得到的TES薄膜，有序排列、连接后得到如权利要求1-5任一项所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器。

8.根据权利要求7所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器的制作方法，其特征在于，改变可调控饱和能量的超导转变边沿传感器饱和能量的方法包括：改变TES薄膜与吸收体之间的热连接方式。

9.根据权利要求7或8所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器的制作方法，其特征在于，改变可调控饱和能量的超导转变边沿传感器饱和能量的方法包括：改变TES薄膜与热沉之间的热连接方式。

10.根据权利要求7-9任一项所述的可调控饱和能量的超导转变边沿传感器的制作方法，其特征在于，改变可调控饱和能量的超导转变边沿传感器饱和能量的方法包括：改变TES薄膜的超导转变温度或改变TES薄膜对温度的敏感系数。