[发明专利]复合晶体、高功率双端泵浦装置在审
申请号: | 202210348754.0 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN114725763A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 晏恒峰;赵晓杰 | 申请(专利权)人: | 常州英诺激光科技有限公司;英诺激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S3/07 | 分类号: | H01S3/07;H01S3/06;H01S3/094;H01S3/16 |
代理公司: | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人: | 张佳文 |
地址: | 213000 江苏省常州市武进区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 晶体 功率 双端泵浦 装置 | ||
本发明涉及一种复合晶体,由多段不同掺杂浓度的Nd:YAG晶体键合而成;所述复合晶体的掺杂浓度分布为:边缘向中间方向逐渐增大,即两侧边缘的侧边晶体浓度最小,中间晶体浓度最大。晶体的导热和机械性能非常好,特别适合进行高功率泵浦。一种高功率双端泵浦装置,包括上述复合晶体;第一泵浦源;第二泵浦源;第一双色镜,其反射率大于99.5%,并且其透过率大于95%;第二双色镜其反射率大于99.5%,其透过率大于95%;第三双色镜,其透过率大于95%;第四双色镜,其透过率大于95%。本发明的双端面泵浦可以适合进行高功率泵浦。
技术领域
本发明涉及激光技术领域,具体涉及一种复合晶体、高功率双端泵浦装置。
背景技术
双端面泵浦结构是激光振荡器和放大器常用的一种泵浦结构,成熟的可用于双端面泵浦的增益介质有Nd:YVO4晶体、Yb:YAG晶体和Nd:YAG晶体,已有专利202110757616.3和专利202110339538.5分别对基于Nd:YVO4晶体和Yb:YAG晶体的双端面泵浦结构进行了描述。
事实上这三种激光增益介质各有优势和劣势,Nd:YVO4晶体增益高,但是晶体导热和机械性能差,适用于低功率工作,一般单个Nd:YVO4晶体的泵浦功率不超过200W;Yb:YAG晶体增益光谱很宽,常用于放大飞秒激光,但是其准三能级的特性要求泵浦功率密度很高,一般端面泵浦单个Yb:YAG晶体的泵浦功率不超过300W。
端面泵浦结构如果单个晶体的泵浦功率超过300W,依然会有强烈的热效应,极端情况下会导致晶体破裂,泵浦功率超过300W端面泵浦结构目前依然是激光行业的难点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种复合晶体以及高功率双端泵浦装置,解决以往双端泵浦在高功率(大于300W)作业环境下,因晶体不能适应较强的热效应,致使晶体破裂的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
第一方面:
提供一种复合晶体,由多段不同掺杂浓度的Nd:YAG晶体键合而成;所述复合晶体包括
中间晶体;以及
多对侧边晶体,各对侧边晶体在中间晶体两侧做对称设置;
所述复合晶体的掺杂浓度分布为:边缘向中间方向逐渐增大,即两侧边缘的侧边晶体浓度最小,中间晶体浓度最大。
进一步的,所述侧边晶体的数量为两对,分别为:
一对第一侧边晶体,对称设置在中间晶体两侧;
一对第二侧边晶体,对称设置在第一侧边晶体两侧;
所述中间晶体的掺杂浓度为0.3~0.7%;
所述第一侧边晶体的掺杂浓度为0.03~0.3%;
所述第二侧边晶体的掺杂浓度为0%。
进一步的,所述侧边晶体的数量为三对,分别为:
一对第一侧边晶体,对称设置在中间晶体两侧;
一对第二侧边晶体,对称设置在第一侧边晶体两侧;
一对第三侧边晶体,对称设置在第二侧边晶体两侧;
所述中间晶体的掺杂浓度为0.4~0.9%;
所述第一侧边晶体的掺杂浓度为0.2~0.4%;
所述第二侧边晶体的掺杂浓度为0.03~0.2%;
所述第三侧边晶体的掺杂浓度为0%。
进一步的,所述中间晶体和侧边晶体的长度均大于5mm,直径均为3~8mm;
所述复合晶体的总长为40~250mm。
进一步的,还包括
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