[发明专利]扩展坞供电方法、系统及应用

权利要求书

1.扩展坞的供电方法，其特征在于，所述方法包括：

检测扩展坞是否与外部电子设备及外部电源连接；

若所述扩展坞同时与所述外部电子设备、所述外部电源连接，检测所述外部电源的电压是否大于预设电压值；

若所述外部电源的电压大于所述预设电压值，以超出所述预设电压值的电压为连接所述扩展坞的所述外部电子设备供电，以及通过降压模块将所述外部电源的电压降为所述预设电压值的电压，并以所述预设电压值的电压为所述扩展坞的内部用电模块供电。

2.根据权利要求1所述的扩展坞的供电方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述扩展坞仅与所述外部电子设备连接，未与所述外部电源连接，通过所述外部电子设备为所述扩展坞的内部用电模块供电。

3.根据权利要求2所述的扩展坞的供电方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述扩展坞同时与所述外部电子设备、所述外部电源连接时，切断所述外部电子设备对内部用电模块的供电连接，接通所述外部电源对内部用电模块的供电连接；

当所述扩展坞仅与所述外部电子设备连接，未与所述外部电源连接时，切断所述外部电源对内部用电模块的供电连接，接通所述外部电子设备对内部用电模块的供电连接。

4.根据权利要求1所述的扩展坞的供电方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述扩展坞同时与所述外部电子设备、所述外部电源连接时，通过快充识别协议使所述外部电源为所述外部电子设备进行快充。

5.根据权利要求4所述的扩展坞的供电方法，其特征在于，所述快充识别协议包括PD通信协议。

6.扩展坞的供电系统，其特征在于，包括：

第一检测单元，用于检测扩展坞是否与外部电子设备及外部电源连接；

第二检测单元，用于检测所述外部电源的电压是否大于预设电压值；

电压转换单元，用于将所述外部电源的电压降为所述预设电压值的电压；

第二供电单元，用于以超出所述预设电压值的电压为连接所述扩展坞的所述外部电子设备供电，以所述预设电压值的电压为所述扩展坞的内部用电模块供电。

7.根据权利要求6所述的扩展坞的供电系统，其特征在于，还包括：

第一供电单元，用于通过与所述扩展坞连接的所述外部电子设备为所述扩展坞的内部用电模块供电。

8.根据权利要求7所述的扩展坞的供电系统，其特征在于，还包括：

电源通断切换单元，所述电源通断切换单元用于当所述扩展坞同时与所述外部电子设备、所述外部电源连接时，切断所述外部电子设备对内部用电模块的供电连接，接通所述外部电源对内部用电模块的供电连接；

所述电源通断切换单元还用于当所述扩展坞仅与所述外部电子设备连接，未与所述外部电源连接时，切断所述外部电源对内部用电模块的供电连接，接通所述外部电子设备对内部用电模块的供电连接。

9.根据权利要求7所述的扩展坞的供电系统，其特征在于，所述第一供电单元和所述第二供电单元包括第一芯片Q1和第一MOS管Q2；

所述第一MOS管Q2为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一MOS管Q2的漏极D连接所述第一芯片Q1，所述第一MOS管Q2的源极S接地，所述第一MOS管Q2的源极S与所述第一MOS管Q2的栅极G间并联有第二电阻R2，所述第一MOS管Q2的栅极G用于接收信号。

10.根据权利要求6或7所述的扩展坞的供电系统，其特征在于，所述电压转换单元包括第二芯片U1和第二MOS管Q3，所述第二MOS管Q3为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二MOS管Q3的漏极D连接所述第二芯片U1，所述第二MOS管Q3的源极S接地，所述第二MOS管Q3的栅极G用于接收所述通信模块发送的信号。