[发明专利]一种低反特清中性色三银低辐射镀膜玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种低反特清中性色三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，本镀膜玻璃包括玻璃基片层(G)和镀膜层，所述镀膜层自所述玻璃基片层(G)向外依次复合有十六个膜层，其中第一层(1)为第一电介质层，第二层(2)为第一低辐射层，第三层(3)为第一阻挡保护层，第四层(4)、第五层(5)和第五层(6)组成第二电介质层，第七层(7)为第二低辐射层，第八层(8)为第三低辐射层,第九层(9)为第二阻挡保护层，第十层(10)、第十一层(11)和第十二层(12)组成第三电介质层，第十三层(13)为第四低辐射层,第十四层(14)为第二阻挡保护层，第十五层(15)为第三电介质层，第十六层(16)为抗划伤耐摩擦层。

2.根据权利要求1所述一种低反特清中性色三银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一层(1)为ZnAlOx层，镀膜厚度为5到20纳米；所述第二层(2)为Ag层,镀膜厚度为3到10纳米；所述第三层(3)为AZO层，镀膜厚度为5到8纳米；所述第四层(4)为SiNx层，镀膜厚度为30到45纳米；所述第五层(5)为ZnSnOx层,镀膜厚度为15到20纳米；所述第五层(6)为ZnAlOx层,镀膜厚度为15到20纳米；所述第七层(7)为Ag层,镀膜厚度为2到10纳米；所述第八层(8)为Cu层，镀膜厚度为2到10纳米；所述第九层(9)为AZO层，镀膜厚度为5到8纳米；所述第十层(10)为SiNx层，镀膜厚度为30到50纳米；所述第十一层(11)为ZnSnOx层，镀膜厚度为20到30纳米；所述第十二层(12)为ZnAlOx层，镀膜厚度为15到25纳米；所述第十三层(13)为Ag层，镀膜厚度为4到10纳米；所述第十四层(14)为AZO层，镀膜厚度为5到8纳米；所述第十五层(15)为ZnAlOx层，镀膜厚度为30到50纳米；所述第十六层(16)为ZrOx层，镀膜厚度为5到10纳米。

3.一种制备权利要求1或权利要求2所述的低反特清中性色三银低辐射镀膜玻璃的方法，其特征在于，本方法包括如下步骤：

1)、磁控溅射镀膜层；

A、磁控溅射第一层(1)：

靶材数量：交流旋转靶1～2个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1.1.8；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

B、磁控溅射第二层(2)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

C、磁控溅射第三层(3)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置氧化锌铝(ZnAlO_x)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

D、磁控溅射第四层(4)：

靶材数量：交流旋转靶5～6个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1.0.75；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

E、磁控溅射第五层(5)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:1.8；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

F、磁控溅射第五层(6)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:1.8；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

G、磁控溅射第七层(7)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

H、磁控溅射第八层(8)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为铜(Cu)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10^-3mbar；镀膜厚度为5～10nm；

I、磁控溅射第九层(9)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(ZnAlO_x)；工艺气体比例：纯氩气；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

J、磁控溅射第十层(10)：

靶材数量：交流旋转靶4～6个；靶材配置硅铝(SiAl)；工艺气体比例：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:0.75；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

K、磁控溅射第十一层(11)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌锡(ZnSn)；工艺气体比例：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:1.8；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

L、磁控溅射第十二层(12)：

靶材数量：交流旋转靶2～3个；靶材配置为锌铝(ZnAl)；工艺气体比：氩气和氧气，氩气和氧气的比例为1:1.8；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

M、磁控溅射第十三层(13)：

靶材数量：直流平面靶1个；靶材配置为银(Ag)；工艺气体比：纯氩气；溅射气压为2～3×10^-3mbar；

N、磁控溅射第十四层(14)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为氧化锌铝(ZnAlO_x)；工艺气体比：纯氩气；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

O、磁控溅射第十五层(15)：

靶材数量：交流旋转靶5～6个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:0.75；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

P、磁控溅射第十六层(16)：

靶材数量：交流旋转靶1个；靶材配置为硅铝(SiAl)；工艺气体比：氩气和氮气，氩气和氮气的比例为1:0.04；溅射气压为3～5×10^-3mbar；

2)、总膜层厚度控制在189-334nm，一般溅射室传动走速控制在4.0-5.0m/min。