[发明专利]一种含B2初生相的偏共晶高熵合金及其制备方法

权利要求书

1.一种含B2初生相的偏共晶高熵合金，其特征在于，所述合金的通式按原子百分比表达为：Al_aCo_bCr_cFe_dNi_e，

其中，a为16～20，b为16～20，c为16～20，d为0～10，e为36～42，a+b+c+d+e＝100；

所述合金的微观组织主要由初生B2相和包含B2相与FCC相的共晶组织组成，其中，所述初生B2相呈等轴树枝晶状，且在所述初生B2相的周侧围绕有FCC相晕圈。

2.一种如权利要求1所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，包括：

S1：配料：按照合金通式进行配料，在称取原材料之前，先对原材料表面进行打磨、清洗、干燥；

S2：熔炼：将原材料放置在真空炉内，抽真空并充入保护气体进行熔炼，得到铸锭；

S3：落铸：将铸锭置于长条形的模具上，对铸锭进行加热，铸锭完全熔化后落至模具中，冷却后脱模后得到所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金。

3.根据权利要求2所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述打磨是将原材料表面的氧化膜用钢丝刷或砂轮机打磨去除。

4.根据权利要求2所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述清洗是在无水乙醇中超声清洗，清洗时间为100～200s。

5.根据权利要求2所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中原材料中铝纯度大于99.5wt％，钴纯度大于99.9wt％，铬纯度大于99.9wt％，铁纯度大于99.9wt％，镍纯度大于99.9wt％。

6.根据权利要求2所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S201：将原材料放置在真空炉内，抽真空到5×10^-3Pa，再反充保护气体至0.02Mpa，再次抽真空至5×10^-3Pa进行洗气，重复洗气后再次充入保护气体至0.11Mpa；

S202：熔炼合金前，先熔化预置在真空炉内的钛锭以消耗炉内的残留氧气，然后再对合金原材料进行熔炼，熔炼完成后将铸锭翻转，重复熔炼多次，得到最终铸锭。

7.根据权利要求2或6所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S3中均是在非自耗真空电弧炉中进行引弧熔炼。

8.根据权利要求7所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S202中对合金原材料进行熔炼时，熔炼电流为300～350A，每次熔炼时间至少1min。

9.根据权利要求7所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中铸锭的熔炼电流为300～350A。

10.根据权利要求2或6所述的含B2初生相的偏共晶高熵合金的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中保护气体为氩气。