[发明专利]带隙参考电路和包括带隙参考电路的振荡器电路

权利要求书

1.一种带隙参考电路，包括：

参考电流产生电路，被配置为通过使用与温度成反比的第一电压以及与温度成正比的第三电压，输出对温度变化不敏感的带隙参考电流，其中所述第三电压是所述第一电压和第二电压之差；

电阻率温度系数抵消电路，被配置为通过使用所述第三电压从所述带隙参考电流中去除与温度成正比的第一电流；以及

参考电压产生电路，被配置为通过使用与温度成反比的第二电流以及与温度成正比的第一电阻器来输出对温度变化不敏感的带隙参考电压，所述第二电流通过从所述带隙参考电流中去除所述第一电流来产生。

2.根据权利要求1所述的带隙参考电路，其中，所述电阻率温度系数抵消电路包括具有两端的第二电阻器，所述第一电压和所述第二电压自所述参考电流产生电路被分别施加到所述两端，所述第二电阻器与温度成正比并且具有与所述参考电压产生电路的第一节点连接的一端，所述带隙参考电流被施加到所述第一节点，

其中，所述第一电流由于所述第三电压流过所述第二电阻器。

3.根据权利要求2所述的带隙参考电路，其中，所述参考电流产生电路包括产生所述第一电压的第一双极结型晶体管BJT、产生所述第二电压的第二BJT、以及第一运算放大器。

4.根据权利要求2所述的带隙参考电路，其中，所述参考电流产生电路包括被施加所述第三电压的第三电阻器，

流过所述电阻率温度系数抵消电路中的所述第二电阻器的所述第一电流具有与流过所述第三电阻器的电流相同的与绝对温度成正比型PTAT特性。

5.根据权利要求3所述的带隙参考电路，其中，所述电阻率温度系数抵消电路还包括第一晶体管和第二运算放大器，

其中，所述第二运算放大器的输入端与所述参考电流产生电路的第三节点和第二电阻器的一端连接，以将输出电压施加到所述第一晶体管的栅极端，以及

所述第一晶体管连接在所述第二电阻器的所述一端与接地节点之间。

6.根据权利要求4所述的带隙参考电路，其中，所述参考电流产生电路包括被施加所述第一电压的第四电阻器，

其中，流过所述第四电阻的电流具有与流过所述参考电压产生电路中的所述第一电阻器的第二电流相同的与绝对温度互补型CTAT特性。

7.根据权利要求2所述的带隙参考电路，其中，所述第二电流是流过所述第一电阻器的电流，并且

所述带隙参考电压是施加到所述第一电阻器的电压，

其中，所述带隙参考电压由所述第一电阻器和所述第二电阻器确定。

8.一种带隙参考电路，包括：

参考电流产生器，包括第一双极结型晶体管BJT和第二BJT以及第一运算放大器和第二运算放大器，所述参考电流产生器被配置为通过使用所述第一BJT的基极-发射极电压和所述第二BJT的基极-发射极电压之差来产生对温度变化不敏感的参考电流；

电阻率温度系数抵消电路，包括第一与绝对温度成正比型PTAT电阻器和第三运算放大器，所述电阻率温度系数抵消电路被配置为从所述参考电流中去除PTAT电流；以及

参考电压产生器，包括通过从所述参考电流中去除所述PTAT电流而产生的与绝对温度互补型CTAT电流流过的第二PTAT电阻器，所述参考电压产生器被配置为输出所述第二PTAT电阻器的电压作为参考电压，

其中，通过使用所述第二运算放大器和所述第三运算放大器将所述第一BJT和所述第二BJT的基极-发射极电压分别施加到所述第一PTAT电阻器的两端，以及

所述PTAT电流流过所述第一PTAT电阻器。

9.根据权利要求8所述的带隙参考电路，其中，对于所述第一PTAT电阻器，来自所述参考电流产生器的第一BJT和第二BJT的基极-发射极电压分别施加到所述第一PTAT电阻器的两端，

所述第一PTAT电阻器的一端与施加所述参考电流的参考电压产生器的第一节点连接，以及

所述PTAT电流由于所述第一BJT的基极-发射极电压与所述第二BJT的基极-发射极电压之差而流过所述第一PTAT电阻器。