[发明专利]一种基于MXene-SWCNTs纳米复合材料修饰的GCE电极在审
| 申请号： | 202210272114.6 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114636741A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 于春梅;姜梦媛 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/327;G01N27/26;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄欣 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mxene swcnts 纳米 复合材料 修饰 gce 电极 | ||
1.一种基于MXene-SWCNTs纳米复合材料修饰的GCE电极，其特征在于：包括GCE基底，在GCE基底上设置有MXene-SWCNTs纳米复合材料层。
2.根据权利要求1所述的GCE电极，其特征在于：所述MXene-SWCNTs纳米复合材料层的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，采用液相刻蚀法制备MXene；
步骤2，将MXene和SWCNTs通过自组装法得到MXene-SWCNTs纳米复合材料；
步骤3，将MXene-SWCNTs纳米复合材料的溶液涂覆在预处理的GCE基底表面，即可得到MXene-SWCNTs纳米复合材料层。
3.根据权利要求2所述的GCE电极，其特征在于：步骤2中所述自组装法是将MXene溶液和SWCNTs溶液混合后进行超声，从而得到MXene-SWCNTs纳米复合材料溶液。
4.权利要求1至3任一项所述的GCE电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S10 对GCE基底进行抛光预处理；
S20 采用液相刻蚀法制备MXene；
S30 将MXene溶液和SWCNTs溶液混合后进行超声，得到MXene-SWCNTs纳米复合材料的溶液；
S40 采用滴定法，将MXene-SWCNTs纳米复合材料的溶液滴加在抛光的GCE基底上，晾干后得到所述GCE电极。
5.权利要求1至3任一项所述的GCE电极在制备5-HT检测传感器中的应用。
6.一种5-HT检测传感器，其特征在于：包括工作电极、参比电极和对电极；所述工作电极为权利要求1至3任一项所述的GCE电极，参比电极为饱和甘汞电极，对电极为铂丝。
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