[发明专利]部分遮蔽光二极管的光学式编码器

权利要求书

1.一种光学式编码器，该光学式编码器包含：

光二极管阵列，该光二极管阵列包含至少三组位置光二极管沿第一方向相邻配置，且每组位置光二极管具有第一光二极管、第二光二极管、第三光二极管及第四光二极管沿所述第一方向依序配置，所述至少三组位置光二极管包含第一组位置光二极管及最后一组位置光二极管分别配置于所述至少三组位置光二极管的两端；以及

不透光层，该不透光层遮蔽于所述第一组位置光二极管及所述最后一组位置光二极管上，但不遮蔽于所述至少三组位置光二极管中的所述第一组位置光二极管及所述最后一组位置光二极管以外的位置光二极管上，其中，

所述第一组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管被所述不透光层的遮蔽率依序变少，且

所述最后一组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管被所述不透光层的遮蔽率依序变多。

2.根据权利要求1所述的光学式编码器，其中

所述第一光二极管与所述第二光二极管的输出光电流的相位正交；

所述第一光二极管与所述第三光二极管的输出光电流的相位反相；及

所述第二光二极管与所述第四光二极管的输出光电流的相位反相。

3.根据权利要求2所述的光学式编码器，其中

所述第一组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管被所述不透光层的所述遮蔽率分别为90％、70％、50％及30％；及

所述最后一组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管被所述不透光层的所述遮蔽率分别为30％、50％、70％及90％。

4.根据权利要求1所述的光学式编码器，其中所述至少三组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管在所述第一方向具有第一宽度，并在垂直所述第一方向的第二方向具有相同高度。

5.根据权利要求4所述的光学式编码器，其中

所述光二极管阵列还包含两索引光二极管在所述第一方向上相邻配置于所述至少三组位置光二极管的所述两端的其中一端，且

所述两索引光二极管的每一者在所述第一方向的第二宽度大于所述第一宽度。

6.根据权利要求5所述的光学式编码器，其中所述第二宽度大于或等于所述第一宽度的4倍。

7.根据权利要求5所述的光学式编码器，还包含编码盘相对所述光二极管阵列配置，其中所述编码盘包含：

多个位置狭缝，该多个位置狭缝的狭缝宽度及狭缝间距等于所述第一宽度的2倍；及

索引狭缝，该索引狭缝的狭缝宽度等于所述第二宽度的1.5倍。

8.一种光学式编码器，该光学式编码器包含：

光二极管阵列，该光二极管阵列包含至少三组位置光二极管沿第一方向相邻配置，且每组位置光二极管具有第一光二极管、第二光二极管、第三光二极管及第四光二极管沿所述第一方向依序配置；

第一索引光二极管，该第一索引光二极管在所述第一方向上相邻配置于所述至少三组位置光二极管的两端的其中一端；

第二索引光二极管，该第二索引光二极管在所述第一方向上相邻配置于所述第一索引光二极管；以及

不透光层，该不透光层遮蔽于所述第二索引光二极管在所述第一方向上的两边缘的其中一者向内延伸的一部分并遮蔽于所述至少三组位置光二极管两端的第一组光二极管及最后一组光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管上。

9.根据权利要求8所述的光学式编码器，其中

所述至少三组位置光二极管的所述第一光二极管、所述第二光二极管、所述第三光二极管及所述第四光二极管在所述第一方向具有第一宽度，并在垂直所述第一方向的第二方向具有相同高度；且

所述第一索引光二极管及所述第二索引光二极管的每一者在所述第一方向的第二宽度大于或等于所述第一宽度的4倍。