[发明专利]一种单晶硅超薄壁管加工工艺

权利要求书

1.一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1：加工内孔，采用定制刀具将单晶硅管件的内孔做出，壁厚留有余量；

S2：一次磨削，使用定位工装将单晶硅管件夹紧于磨床上，并将单晶硅管件升温至磨削温度，用定制的精细金刚砂轮对其进行一次磨削；

S3：清洗，一次磨削完毕后，通过喷淋管喷出酸液和清水，对单晶硅管件的内表面进行全面的酸洗和清洗，并烘干水分；

S4：二次磨削，将单晶硅管件升温至磨削温度，用定制的精细金刚砂轮对其进行二次磨削；

S5：清洗，二次磨削完毕后，通过喷淋管喷出酸液和清水，对单晶硅管件的内表面进行全面的酸洗和清洗，并烘干水分；

S6：三次磨削，将单晶硅管件升温至磨削温度，用定制的精细金刚砂轮对其进行三次磨削、四次磨削等，直至将壁厚逐渐磨削至所需要求；

S7：清洗，多次磨削完毕后，通过喷淋管喷出酸液和清水，对单晶硅管件的内表面进行全面的酸洗和清洗，并烘干水分；

S8：内表面抛光，壁厚达标后，对单晶硅管件的内表面进行抛光处理；

S9：清洗，内表面抛光完毕后，通过喷淋管喷出酸液和清水，对单晶硅管件的内表面进行全面的酸洗和清洗，并烘干水分；

S10：双面抛光，对单晶硅管件的内表面和外表面进行双面抛光处理；

S11：清洗，双面抛光完毕后，通过喷淋管喷出酸液和清水，对单晶硅管件的内表面和外表面进行全面的酸洗和清洗，并烘干水分；

S12：检验，通过检验设备对单晶硅管件进行检测，检验合格后，对该单晶硅超薄壁管进行包装储存。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述精细金刚砂轮沿轴向的进给运动轨迹设置为螺旋线型。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述精细金刚砂轮的磨削速度设置为200m/min。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述精细金刚砂轮的磨削进给量设置为6μm/min。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述精细金刚砂轮的磨削温度设置为50～60℃。

6.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述S8中内表面抛光采用机械研磨为主，光催化辅助化学机械抛光为辅的抛光方式，先通过机械研磨进行粗抛光，再通过光催化辅助化学机械抛光进行精抛光。

7.根据权利要求1所述的一种单晶硅超薄壁管加工工艺，其特征在于，所述S10中双面抛光均采用光催化辅助化学机械抛光的抛光方式。