[发明专利]一种双驱动的充电适配器在审

专利信息
申请号: 202210264559.X 申请日: 2022-03-17
公开(公告)号: CN114552743A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 陈小玲 申请(专利权)人: 陈小玲
主分类号: H02J7/02 分类号: H02J7/02;H02J7/00
代理公司: 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 代理人: 陈嘉琪
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 充电 适配器
【权利要求书】:

1.一种双驱动的充电适配器,应用在Lightning母座上,其特征在于,包括:

电源管理模块,设置有电源输出端;

Lightning母座,所述Lightning母座的电源端与电源管理模块的电源输出端连接;

I/O母座接口,所述I/O母座接口的电源端与电源管理模块的电源输出端连接;

开关模块,所述开关模块的输入端与电源管理模块的电源输出端连接,其输出端分别与Lightning母座的电源端和I/O母座接口的电源端连接;

主控芯片,分别与Lightning母座、I/O母座接口和开关模块连接,以驱动开关模块;

母座芯片,分别与Lightning母座和开关模块连接,以驱动开关模块。

2.根据权利要求1所述的充电适配器,其特征在于:所述I/O母座接口为type-c母座。

3.根据权利要求1或2所述的充电适配器,其特征在于:所述开关模块包括MOS管和控制电路,所述MOS管的源极和漏极分别作为输入端和输出端,所述主控芯片和母座芯片均与控制电路连接,通过控制电路控制MOS管的通断。

4.根据权利要求3所述的充电适配器,其特征在于:所述控制电路包括第一电阻、第二电阻和三极管,所述MOS管为NMOS管,所述控制电路的一节点分别与NMOS管的栅极连接,以及通过第一电阻与主控芯片的控制端连接,以及通过第二电阻与NMOS管的源极连接,以及与三极管的集电极或发射极之一连接,且所述三极管的集电极或发射极另外之一接地,所述母座芯片的控制端与三极管的基极连接。

5.根据权利要求4所述的充电适配器,其特征在于:所述三极管为NPN三极管,所述NPN三极管的集电极与控制电路的节点连接,所述NPN三极管的发射极接地,所述母座芯片的控制端根据第一异常信号断开或设为低电平。

6.根据权利要求1或2所述的充电适配器,其特征在于:所述主控芯片的第一CC端分别与Lightning母座的CC端和I/O母座接口的第一CC端连接,所述主控芯片的第二CC端分别与母座芯片的CC端和I/O母座接口的第二CC端连接。

7.根据权利要求6所述的充电适配器,其特征在于:所述Lightning母座的CC端还连接有下拉电阻。

8.根据权利要求6所述的充电适配器,其特征在于:所述母座芯片的识别端与Lightning母座的ID端连接。

9.根据权利要求1或2所述的充电适配器,其特征在于:所述主控芯片分别与Lightning母座的GND端和I/O母座接口的GND端连接,且所述I/O母座接口的GND端接有下拉电阻。

10.根据权利要求1所述的充电适配器,其特征在于:所述主控芯片的DP端和DM端分别与Lightning母座的DP端和DM端连接,以及,所述主控芯片的DP端和DM端还分别与I/O母座接口的DP端和DM端连接。

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