[发明专利]一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法在审
| 申请号： | 202210264115.6 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114544517A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张宇贤;王琼华;储繁;郭玉强;沈田子;段薇 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01N21/25 | 分类号： | G01N21/25;G01N21/47 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 电场 中的 三维 晶格 常数 方法 | ||
1.一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，其特征在于，该方法基于科塞尔衍射和布拉格反射光谱两种光学表征手段，包括以下五个步骤：测试蓝相I孪晶在零场的中心反射波长；测试蓝相I孪晶在零场的孪晶夹角；测试电场中蓝相I孪晶的中心反射波长；测试电场中蓝相I孪晶的孪晶夹角；计算蓝相I在电场中的三维晶格常数，其中的中心反射波长由布拉格反射光谱获得，孪晶夹角由科塞尔衍射图样获得。
2.根据权利要求1所述的一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，其特征在于，该方法适用于晶格结构存在时的蓝相I，包括在零场下的立方结构和在低电场强度下形成的斜方与四方结构，对应电场强度一般低于2.5V/μm。
3.根据权利要求1所述的一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，其特征在于，该方法需要原位测得四个物理参数：零场下蓝相I孪晶的中心反射波长λ0、零场下蓝相I孪晶的孪晶夹角θ0、电场中蓝相I的中心反射波长λ、电场中蓝相I的孪晶夹角θ。
4.根据权利要求1所述的一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，其特征在于，蓝相I在零场和电场中的平均折射率都等于n。
5.根据权利要求1所述的一种测试蓝相I在电场中的三维晶格常数的方法，其特征在于，蓝相I在低电场强度下的晶格体积仍可以用零场下的体积V0表示，在电场中的实时三维晶格常数a，b，c可由以下方程组依次计算得到：
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