[发明专利]一种光控-晶控结合的膜系设计方法

说明书

本发明公开了一种光控‑晶控结合的膜系设计方法，为窄带通两边的截止带拓宽提供一种可能性，包括下述步骤：1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，必要条件下主膜镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系；3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系。

技术领域

本发明涉及光学薄膜技术领域，具体地说，是一种光控-晶控结合的膜系设计方法。

背景技术

在制作窄带滤光片时不仅需要选择合适的制备工艺和优秀的镀膜材料，还需要采取相应措施，精确监控厚度，在实际设计过程中经常会出现截止带宽不够的现象，副膜又不能完全补偿。

发明内容

本发明的目的在于设计一种光控-晶控结合的膜系设计方法，为窄带通两边的截止带拓宽提供一种可行性。

本发明通过下述技术方案实现：一种光控-晶控结合的膜系设计方法，包括下述步骤：

1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，显然截止带宽在1230nm左右开始出现次峰，现在需要做的就是将1230nm之后的次峰消除掉，常用的方法是在基片背面镀制一个短波通，但基片背面镀完短波通后930nm之前的次峰就无法消除掉了，因此需采用在消除掉主膜的次峰情况下在副膜镀制一个长波通，即必要条件下主膜镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；

2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系，由于窄带设计属于规整膜系选择光控，而短波通属于非规整膜系需要用晶控控制，因此需要光控-晶控的方法完成镀制要求；

3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系，可以将930nm之前的次峰截止掉，满足了设计要求。

进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述1064的窄带通膜系为：

HLHLHL 4H LHLHLH L

HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L

HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L

HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L。

进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中主膜膜系为：

HLHLHL 4H LHLHLH L

HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L

HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L

HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L

1.28(0.5LH0.5L)^13。

进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤3）中长波通膜系为：

(0.5HL0.5H)^11。

进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度250~300℃（优选为300℃），工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150~170sccm（优选为150sccm），全程离子源辅助，离子源束流为1000~1200mA（优选为1200mA）。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

本发明能够为一些容易被旁带通波段光影响的接收器，提供更加纯净的光波段。

附图说明

图1为1064的窄带通膜系的设计曲线图。