[发明专利]一种降低磁芯涡流损耗的高频变压器在审
| 申请号： | 202210256557.6 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114783746A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 陈材;唐紫嫣;关佳佳;康勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01F30/12 | 分类号： | H01F30/12;H01F27/24;H01F27/34 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李晓飞 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 涡流 损耗 高频变压器 | ||
1.一种降低磁芯涡流损耗的高频变压器，包括：磁芯柱(5)、绕制在所述磁芯柱(5)上的绕组(3)及设置在所述磁芯柱(5)顶部和底部的上盖板(1)、下盖板(2)，其特征在于，所述磁芯柱(5)与上盖板(1)之间开有气隙，且所述磁芯柱(5)边缘处的气隙长度大于中心处的气隙长度。
2.根据权利要求1所述的高频变压器，其特征在于，所述磁芯柱的顶部为台阶状，且台阶的宽度l不小于磁芯柱的趋肤深度。
3.根据权利要求2所述的高频变压器，其特征在于，所述磁芯柱边缘处的气隙长度lg2、中心处的气隙长度lg1及磁芯柱的励磁电感Lm之间满足关系式：
其中，N为绕组匝数，μ0为真空磁导率，r为磁芯柱半径，r1＝r-l。
4.根据权利要求3所述的高频变压器，其特征在于，所述磁芯柱为三相磁芯柱，所述三相磁芯柱之间呈等边三角形排布。
5.根据权利要求4所述的高频变压器，其特征在于，所述磁芯柱的底部横截面积为矩形或圆形。
6.根据权利要求5所述的高频变压器，其特征在于，所述绕组为PCB绕组、利兹线绕组或铜箔绕组。
7.根据权利要求6所述的高频变压器，其特征在于，所述绕组包括两组线圈，分别形成所述高频变压器的原边绕组和副边绕组，绕制在对应的磁芯柱上。
8.根据权利要求7所述的高频变压器，其特征在于，所述原边绕组和副边绕组的绕制结构为以下任意一种：交错式结构、三明治结构、叠层结构。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的高频变压器，其特征在于，所述上盖板(1)和下盖板(2)为圆柱形。
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