[发明专利]一种全光纤超导单光子探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种全光纤超导单光子探测器，其特征在于，包括超导纳米线、D型光纤，所述D型光纤包括纤芯和包层，所述超导纳米线位于所述D型光纤的抛光面，且覆盖于所述纤芯上。

2.如权利要求1所述的全光纤超导单光子探测器，其特征在于，还包括：用于承载所述D型光纤的光纤夹具。

3.如权利要求2所述的全光纤超导单光子探测器，其特征在于，所述光纤夹具具有凹槽，所述D型光纤水平嵌入在所述凹槽内。

4.如权利要求1至3任一项所述的全光纤超导单光子探测器，其特征在于，所述超导纳米线为由单像元纳米线构成的光栅结构。

5.一种全光纤超导单光子探测器制备方法，其特征在于，包括：

抛光光纤的侧面至纤芯漏出，得到D型光纤，所述D型光纤包括所述纤芯和包层；

在所述D型光纤抛光面至少对应所述纤芯的位置形成极薄超导材料膜层；

对所述极薄超导材料膜层进行处理形成覆盖于所述纤芯上的超导纳米线。

6.如权利要求5所述的全光纤超导单光子探测器制备方法，其特征在于，所述抛光光纤的侧面至纤芯漏出包括：

采用机械抛光的方式，抛光光纤的侧面至纤芯漏出。

7.如权利要求6所述的全光纤超导单光子探测器制备方法，其特征在于，所述在所述D型光纤抛光面至少对应所述纤芯的位置形成极薄超导材料膜层之前，还包括：

依次使用丙酮和乙醇辅助低功率超声波对所述D型光纤的所述抛光面进行清洗；

吹干所述抛光面，得到洁净的抛光面。

8.如权利要求6所述的全光纤超导单光子探测器制备方法，其特征在于，所述对所述极薄超导材料膜层进行处理形成覆盖于所述纤芯上的超导纳米线包括：

在所述极薄超导材料膜层的上表面旋涂正性电子束抗蚀胶；

采用电子束曝光机对所述正性电子束抗蚀胶进行图案化曝光；

通过显影、定影处理，得到具有纳米线形状的正性光刻胶掩膜；

去除多余的所述极薄超导材料膜层，得到所述超导纳米线。