[发明专利]激光退火均匀性的验证方法有效
申请号: | 202210244334.8 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114414747B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 李翔;丛茂杰;谢志平 | 申请(专利权)人: | 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 均匀 验证 方法 | ||
1.一种激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次层叠热隔离膜和金属膜,以形成验证结构,所述热隔离膜的颜色为暗色;
采用相应的激光退火条件,从所述金属膜侧对所述验证结构进行激光退火,且在所述激光退火的过程中,所述热隔离膜阻挡激光退火的热量传导至所述半导体衬底,至少部分所述金属膜被热熔化,所述金属膜在退火前的颜色为明亮色,且所述金属膜被激光退火所熔化的部分形成透明状的结构;
观察分析所述验证结构退火后的表面形貌,以判断激光退火均匀性。
2.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述半导体衬底的材料包括硅、碳化硅、锗或绝缘体上硅。
3.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述半导体衬底的厚度为300μm~400μm。
4.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述热隔离膜的材料包括氧化物和/或氮化物。
5.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述热隔离膜的厚度为50nm~2000nm。
6.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述金属膜的材料包括铝、铜、镍、钛、钽、钴、钨、钼、锰、铌和铬中的至少一种。
7.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述金属膜的厚度为50nm~200nm。
8.如权利要求1所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述验证结构退火后的表面形貌呈现明暗相间的形貌或者全暗的形貌,且当所述验证结构退火后的表面形貌呈现明暗相间的形貌的程度超出要求时,判定所述激光退火均匀性不符合要求;当所述验证结构退火后的表面形貌呈现明暗相间的形貌的程度未超出要求或者呈现全暗的形貌时,判定所述激光退火均匀性符合要求。
9.如权利要求1-8中任一项所述的激光退火均匀性的验证方法,其特征在于,所述激光退火条件包括激光能量密度以及相邻两个退火区域的重叠率。
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