[发明专利]一种基于电磁带隙结构的法兰及太赫兹波导连接件在审
| 申请号： | 202210238224.0 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114597612A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨耀辉;韩顺利;张亭 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01P1/00 | 分类号： | H01P1/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 黄海丽 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁带 结构 法兰 赫兹 波导 连接 | ||
1.一种基于电磁带隙结构的法兰，其特征在于，包括：金属板，所述金属板中间开有波导口，所述金属板上刻蚀有周期方形柱电磁带隙结构，所述方形柱电磁带隙结构凸出于金属板表面，所述波导口附近设有椭圆阻抗变换过渡结构；
在对接时，平面法兰的波导口与所述基于电磁带隙结构的法兰的波导口对齐，方形柱电磁带隙结构朝向平面法兰；平面法兰与所述基于电磁带隙结构的法兰存在法兰对接空气间隙，波导中的能量沿垂直方向传播，沿缝隙的电磁泄露在周期方形柱电磁带隙结构中得到抑制。
2.根据权利要求1所述的基于电磁带隙结构的法兰，其特征在于，所述椭圆阻抗变换过渡结构为台阶式椭圆阻抗变换过渡结构。
3.根据权利要求2所述的基于电磁带隙结构的法兰，其特征在于，所述台阶式椭圆阻抗变换过渡结构包括内圈椭圆阻抗变换过渡结构和外圈椭圆阻抗变换过渡结构，所述内圈椭圆阻抗变换过渡结构的表面高于外圈椭圆阻抗变换过渡结构的表面。
4.根据权利要求1所述的基于电磁带隙结构的法兰，其特征在于，所有所述周期方形柱电磁带隙结构的上表面在同一水平面上。
5.一种基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，其特征在于，包括：第一法兰盘、第二法兰盘和直通段，所述第一法兰盘和第二法兰盘通过所述直通段连接，所述第一法兰盘和第二法兰盘上均设有权利要求1-4任一项所述的基于电磁带隙结构的法兰。
6.根据权利要求5所述的基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，其特征在于，所述第一法兰盘和第二法兰盘上均设有连接孔和销钉。
7.根据权利要求6所述的基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，其特征在于，所述连接孔包括第一连接孔和第二连接孔。
8.根据权利要求7所述的基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，其特征在于，所述第一连接孔上插接连接销钉。
9.根据权利要求5所述的基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，若波导频段高于250GHz、低于500GHz，则在权利要求1-4任一项所述的基于电磁带隙结构的法兰外围增加环形保护面。
10.根据权利要求9所述的基于电磁带隙结构的太赫兹波导连接件，所述环形保护面与周期方形柱电磁带隙结构的上表面在同一水平面上。
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