[发明专利]弹坑检测方法

说明书

本申请提供一种弹坑检测方法，所述弹坑检测方法包括：制备饱和碱溶液，将完成键合后的芯片浸泡在饱和碱溶液中预设时间，取出浸泡在所述饱和碱溶液中的芯片，对芯片进行清洗，并在显微镜下进行观察；观察清洗后的芯片，并确认清洗后的芯片是否存在弹坑。采用本申请的实施例，可以检测芯片键合中的弹坑，检测步骤简单，检测效果好。

技术领域

本申请涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种弹坑检测方法。

背景技术

半导体封装领域在不断寻求良好的工艺性能，以低廉的金属取代金丝，降低包装成本，提高可靠性。例如，铜线具有良好的电气和机械性能，因此受到大多数制造商的青睐，并开始大量生产铜线和镀钯铜线。

与金丝键合技术相比，纯铜球的硬度可以是金球的两倍，而镀钯铜丝的硬度则更高，可以降低铜球的键合特性。为了克服铜线硬度和屈服强度高的问题，在键合过程中需要非常大的超声功率和键合压力，然而这样会容易损坏硅片，形成凹坑，进而严重影响产品质量和可靠性。因此，弹坑的检测至关重要，成为了集成电路封装键合过程中关键的质量控制点。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种弹坑检测方法，能够检测芯片键合中的弹坑，检测步骤简单，检测效果好。

本申请的实施例提供一种弹坑检测方法，所述弹坑检测方法包括：制备饱和碱溶液；将完成键合后的芯片浸泡在所述饱和碱溶液中预设时间；取出浸泡在所述饱和碱溶液中的所述芯片，对所述芯片进行清洗，并在显微镜下进行观察；观察清洗后的所述芯片，并确认清洗后的所述芯片是否存在弹坑。

在一种可能的设计中，使用探针或者小刀具轻刮所述芯片表面；若所述芯片表面有刮痕，所述芯片的铝层没有被完全去除，将所述芯片重新浸泡在所述饱和碱溶液，直到所述铝层被完全去除。

在一种可能的设计中，当所述铝层被完全去除后，使用探针或者小刀具轻划所述芯片的硅层；若所述硅层上有弹坑，则确认所述芯片的键合工艺不合格，调整所述芯片的键合工艺参数。

在一种可能的设计中，若所述硅层的表面光滑且无坑印，则确认所述芯片的键合工艺合格。

在一种可能的设计中，若所述硅层上有轻微坑印，使用探针或者小刀具轻划所述芯片的硅层；若所述硅层上没有弹坑，则确认所述芯片的键合工艺合格。

在一种可能的设计中，所述预设时间为30分钟。

在一种可能的设计中，使用酒精将所述芯片清洗干净后晒干，并在显微镜下进行观察。

在一种可能的设计中，所述饱和碱溶液为饱和氢氧化钠溶液。

在一种可能的设计中，将固态氢氧化钠倒入盛有水的烧杯中以得到氢氧化钠溶液，使用玻璃棒对所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液进行搅拌。

在一种可能的设计中，对所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液进行搅拌时，添加所述固态氢氧化钠至所述烧杯中，直到所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液有晶体析出。

本申请实施例提供的弹坑检测方法可以通过观察铝层下面的硅层状态来判断键合工序质量的好坏，进而可以检测芯片键合是否有弹坑，检测步骤简单，检测效果好。

附图说明

图1为根据本申请实施例提供的弹坑检测方法的流程示意图。

图2A为芯片表面未完全去除铝层的示意图。

图2B为芯片表面去除铝层后存在弹坑的示意图。

图2C为芯片表面去除铝层后没有弹坑的示意图。

具体实施方式