[发明专利]一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质

说明书

本发明公开了基于二端口网络的去嵌方法、装置、介质及设备，该去嵌方法包括：本征器件左右两侧设置有去嵌结构形成待测器件，去嵌结构包括短直通结构、长直通结构以及开路结构；根据本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数矩阵并构建包括误差模型的T参数矩阵的第一方程组；获取短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数矩阵；根据短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数矩阵求解T参数矩阵的第一方程组，确定本征器件的T参数矩阵；将本征器件的T参数矩阵转化成S参数矩阵，确定本征器件的S参数矩阵。从而能够在毫米波频段实现去嵌入，且提高去嵌入算法的准确率。

技术领域

本发明涉及去嵌技术领域，尤其涉及一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质。

背景技术

去嵌的基本原理是先采用特定的模型对寄生效应进行描述，再配套使用特定的算法对表达为模型形式的寄生效应进行消除。因此，各种去嵌方法的根本不同在于寄生效应描述方式的不同。

目前最常用的去嵌入算法是open-short以及pad-open-short去嵌入算法，这两种算法本质上都是基于集总等效电路模型的去嵌方法。这类方法将测试结构的寄生效应建模为集总等效电路，等效电路中的元件以串联或并联形式连接在本征器件周围。去嵌时，对应于等效电路中元件的串联或并联结构，通过Y参数矩阵或Z参数矩阵相减的方式，从外到内逐层消除寄生效应。

随着集成电路工艺的特征尺寸不断缩小，集成电路的工作频率不断升高。同时，在芯片测试中本征器件与探针尖之间焊盘与互连线等测试结构的寄生效应愈加复杂，测试结构寄生效应的去嵌与器件本征特性的获取愈加重要。

然而，集总模型的准确性受到频率限制，随着频率升高，寄生效应的分布效应逐渐显著，集总模型的准确性逐渐降低，open-short以及pad-open-short去嵌入算法的误差已经非常大。

发明内容

鉴于上述所有现有技术的缺点，本发明提供了一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质，从而能够在毫米波频段实现去嵌入，且去嵌入算法的准确率大大提高。

本发明提供一种基于二端口网络的去嵌方法，本征器件左右两侧设置有去嵌结构，该去嵌结构包括短直通结构、长直通结构以及开路结构，该方法包括：根据本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数矩阵并构建包括该误差模型的T参数矩阵的第一方程组；获取短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数；根据短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数求解T参数矩阵的第一方程组，确定本征器件的T参数矩阵；将本征器件的T参数矩阵转化成S参数矩阵，并确定本征器件的S参数。

在一种可能的实施方式中，本发明提供的上述基于二端口网络的去嵌方法中，根据本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数，包括：将本征器件左侧的GSG pad和传输线的传输特征参数转化为第一误差模型T_A；且T_A=r₂₂；将本征器件右侧的GSGpad和传输线的传输特征参数转化为第二误差模型T_B；且T_B=ρ₂₂。