[发明专利]一种曝光抗蚀剂改性工艺及液相微纳加工设备

权利要求书

1.一种曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S1，制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜；

步骤S2，对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的极化通路进行连接；

步骤S3，对带有待加工图案的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜进行曝光；

步骤S4，对加工图案的显影以及定影；

步骤S5，将定影之后的带有加工图案的PMMA薄膜，用氮气枪吹出表面的水分，完成PMMA薄膜的改性工作。

2.根据权利要求1所述的曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜具体包括以下步骤：将镀有金层的硅片放置于匀胶机中，将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)均匀旋涂在镀有金层的硅片上；并将旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的镀有金层的硅片放置于热板中，烘烤20分钟(min)-60分钟，将PMMA溶液中的溶剂烤干，留下PMMA薄膜。

3.根据权利要求1所述的曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的极化通路进行连接具体包括以下步骤：将通过PMMA薄膜基底的电极与偏压电源的负极相连接，在PMMA薄膜上方，利用拉制仪，拉制出2μm的纳米移液器，注入缓冲溶液；然后通过氯化银电极连接偏压电源。

4.根据权利要求3所述的曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，对带有待加工图案的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜进行曝光具体包括以下步骤：控制纳米移液器，使得纳米移液器接触带有金层的PMMA，施加小于2V的电压，保持恒压作用一定时间，依据控制系统所给的位移和速度参数，控制纳米移液器横向或者纵向移动。

5.根据权利要求1所述的曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，对加工图案的显影以及定影具体包括以下步骤：将带有加工图案的硅片放置于显影液中，显影液的配比为MIBK:IPA＝1:3(体积比)的溶液中，并静置5min。

6.根据权利要求1所述的曝光抗蚀剂改性工艺，其特征在于，对加工图案的显影以及定影具体包括以下步骤：显影过后用镊子取出并放置于定影液IPA中。

7.一种液相微纳加工设备，其特征在于，其用于曝光抗蚀剂改性工艺，所述液相微纳加工设备可以实现纳米薄膜图形化的加工。

8.根据权利要求7所述的液相微纳加工设备，其特征在于，所述液相微纳加工设备包括纳米移液器、三维运动控制系统、纳米薄膜、电极纳米薄膜基板和偏压电源。

9.根据权利要求8所述的液相微纳加工设备，其特征在于，纳米移液器内部注入氯化锂溶液作为液相微纳加工的电子载体，与所述偏压电源的正极通过氯化银电极连接，纳米移液器固定在由三维运动控制系统所控制的机械夹持器上。

10.根据权利要求9所述的液相微纳加工设备，其特征在于，纳米移液器通过机械连接件固定；纳米移液器通过激光拉制仪拉制玻璃毛细管所得，所述纳米移液器尖端半径为90nm-3μm之间的任一数值；纳米移液器的尖端微液滴与加工样品表面接触。