[发明专利]一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置

权利要求书

1.一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，包括：

检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；

将所述待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；

将所述待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上，调控所述无氧铜板的温度；

对所述真空腔内进行抽真空，保持真空腔内达到设定值的真空状态；

在预设条件下分别检测所述待测器件组的电学性能，获取每个所述待测器件组的Gummel特性曲线；所述预设条件包括：参照温度无辐照、参照温度辐照、预设温度无辐照和预设温度辐照，在所述真空腔内调控所述无氧铜板的温度以达到所述参照温度或所述预设温度；

对每个所述待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定所述预设温度辐照下，所述锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。

2.根据权利要求1所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：在对所述待测器件进行辐照过程中，将所述PCB板放置于屏蔽盒内。

3.根据权利要求1所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，在进行辐照条件下，当辐照剂量累积达到所述预设剂量时，检测所述待测器件的电学性能，获得每组待测器件的Gummel特性。

4.根据权利要求3所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行辐照条件下检测时，通过调整所述PCB板与射线源的距离以达到调节辐照剂量率的大小。

5.根据权利要求1所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，所述锗硅异质结晶体管的电学性能参数包括：电流放大系数、开路反向电流、开路击穿电压、截止频率和等效电容。

6.根据权利要求1所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，在所述在预设条件下分组检测所述待测器件的电学性能之前，还包括：设置每个所述待测器件的电压偏置条件；所述电压偏置条件包括：正向偏置、饱和偏置、截至偏置、全零偏置；

所述正向偏置是E/B结正偏、B/C结反偏；

所述饱和偏置是E/B结正偏、B/C结正偏：

所述截至偏置是E/B结反偏、B/C结反偏：

所述全零偏置是所有端口间电压为零；

其中，E/B结是晶体管发射结，B/C结是晶体管的集电结。

7.根据权利要求1所述的锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法，其特征在于，所述调控所述无氧铜板的温度包括：

通过调节液氮存储罐内液氮的状态变化以调控所述无氧铜板的温度。

8.一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试装置，其特征在于，包括：

检测模块，用于检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能；在预设条件下分别检测所述待测器件组的电学性能，和获取所述锗硅异质结晶体管的Gummel特性曲线；

筛选模块，用于筛选出待测器件；

分析模块，用于对每个所述待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定所述预设温度辐照下，所述锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化；

真空控制模块，用于对所述真空腔内进行抽真空，保持所述真空腔内达到预定阈值的真空状态；

温度控制模块，用于调控所述无氧铜板的温度；

射线源，用于对所述待测器件进行辐照。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：电压偏置设置模块，用于设置每个所述待测器件的电压偏置条件；

射线源控制模块，用于在进行辐照条件下检测时，通过调整所述PCB板与射线源的距离以达到调节辐照剂量率的大小。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：

所述温度调控模块，还用于通过调节液氮存储罐内液氮的状态变化以调控所述无氧铜板的温度。