[发明专利]一种用于前瞻式动态温度监测的热插入保护装置与方法有效
申请号: | 202210182601.3 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN114530829B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 陈宥任 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 初晓丽 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 前瞻 动态 温度 监测 插入 保护装置 方法 | ||
1.一种用于前瞻式动态温度监测的热插入保护方法,应用于用于前瞻式动态温度监测的热插入保护装置,所述装置包括:电压输入端连接精密电阻,精密电阻的正端电流讯号以及负端电流讯号分别连接电流准位监控,电流准位监控连接闸极电压限制控制器,闸极电压限制控制器连接闸极开关控制器,所述闸极开关控制器连接MOSFET基极与源极导通阻抗比较器,MOSFET基极与源极导通阻抗比较器还连接有温度监测回报器,温度监测回报器连接MOSFET,MOSFET连接电压输出端;
其特征在于,所述方法包括以下操作:
将MOSFET插入IC芯片,通过温度监测回报器动态监控MOSFET温度;
通过温度监测回报器的温度经过基极与源极导通阻抗比较器获得相对应的阻抗值;
根据获得的阻抗值对应的MOS Rds参数调整闸极开关控制器的电压。
2.根据权利要求1所述的一种用于前瞻式动态温度监测的热插入保护方法,其特征在于,所述方法还包括降低MOSFET闸极与源极两端电压差来限制导通电流的输出。
3.根据权利要求1所述的一种用于前瞻式动态温度监测的热插入保护方法,其特征在于,所述方法还包括限制导通电流的输出,将MOS操作在安全工作区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州浪潮智能科技有限公司,未经苏州浪潮智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210182601.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化学理论计算演示装置
- 下一篇:一种高效砂石脱水筛