[发明专利]一种实时监测量子点膜层厚度的方法及设备在审

专利信息
申请号: 202210172358.7 申请日: 2022-02-24
公开(公告)号: CN114636377A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 张超;庄永漳;仉旭 申请(专利权)人: 镭昱光电科技(苏州)有限公司
主分类号: G01B11/06 分类号: G01B11/06;H01L21/66
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 实时 监测 量子 点膜层 厚度 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种实时监测量子点膜层厚度的方法,其特征在于,包括:

将量子点标准液制成多个不同厚度的量子点标准膜层;

测定所述多个不同厚度的量子点标准膜层在指定波长的激发光照射下的吸收值和有效转换效率,从而建立量子点标准膜层的厚度δ与吸收值OD及有效转换效率η的关系式;

将待测量子点液制成待测量子点膜层,并测定所述待测量子点膜层在所述指定波长的激发光照射下的吸收值OD′和有效转换效率η′,再依据OD′、η′和所述关系式,确定所述待测量子点膜层的厚度δ′;

其中,所述量子点标准液与待测量子点液的组成成分相同。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述量子点标准液所含量子点为Cd系量子点,则所述量子点标准膜层的厚度δ与吸收值OD及有效转换效率η的关系式为:

δ=-0.0297x2+1.0553x+0.0685 式(Ⅰ)

η=-1.297x2+16.931x 式(Ⅱ)

式(Ⅰ)和式(Ⅱ)中,x为ODn与OD1的比值,OD1为单位厚度量子点标准膜层的吸收值,ODn为待测量子点膜层的吸收值。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述量子点标准液所含量子点为In系量子点,则所述量子点标准膜层的厚度δ与吸收值OD及有效转换效率η的关系式为:

δ=-0.0583x2+1.4633x+0.0885 式(Ⅲ)

η=-1.688x2+14.025x 式(Ⅳ)

式(Ⅲ)和式(Ⅳ)中,x为ODn与OD1的比值,OD1为单位厚度量子点标准膜层的吸收值,ODn为待测量子点膜层的吸收值。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述多个不同厚度的量子点标准膜层为至少五个不同厚度的量子点标准膜层;

和/或,所述指定波长的激发光的波长在500nm以下。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述量子点标准膜层的厚度在10μm以下,所述待测量子点膜层的厚度在10μm以下。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括:采用旋涂、喷涂、喷墨打印、丝网印刷中的任一种方式使所述量子点标准液形成量子点标准膜层,采用旋涂、喷涂、喷墨打印、丝网印刷中的任一种方式使所述待测量子点液形成待测量子点膜层。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,包括:采用旋涂、喷涂、喷墨打印、丝网印刷中的任一种方式使所述量子点标准液形成量子点标准膜层,并采用形成量子点标准膜层的方式使所述待测量子点液形成待测量子点膜层。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述量子点标准液包括CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdS、CdZnSeS、钙钛矿量子点中的任意一种或两种以上的组合。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:对形成的量子点标准膜层进行固化处理,之后分别测定量子点标准膜层的厚度,以及对应的吸收值和有效转换效率。

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