[发明专利]一种基于软磁薄膜应用于太赫兹波段的平面电感

权利要求书

1.一种基于软磁薄膜应用于太赫兹波段的可调控平面电感，其特征在于：

制备的软磁薄膜平面电感在太赫兹波段为电感值可调控的薄膜电感。

2.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于：用于制备平面电感的材料为Fe基软磁纳米薄膜，其矫顽场大小低于5 Oe，太赫兹波段磁导率高于2。

3.根据权利要求1所述的可调控的薄膜电感，其特征在于：在外加小磁场100 Oe，太赫兹波段的有效电感值可调控高于20%。

4.根据权利要求1所述的软磁薄膜平面电感，其特征在于：软磁薄膜沉积于基片表面，所述基片材质为：电阻率高于8000 Ω·cm的高阻硅或二氧化硅材料，其中基底尺寸为20×20×0.5 mm³。

5.根据权利要求1所述的软磁薄膜应用于太赫兹波段的可调控平面电感，其特征在于：平面电感是由单元结构的软磁薄膜开口环形结构和基片组成。

6.根据权利要求5所述的太赫兹波段的可调控平面电感，其特征在于：平面电感结构的厚度为10~100 nm，线宽5~50 μm，单元结构的尺寸300~500 μm。

7.根据权利要求1所述的软磁薄膜应用于太赫兹波段的可调控平面电感，其特征在于：软磁薄膜开口环形平面电感是采用高真空磁控溅射方法与微纳加工工艺制备而成。

8.根据权利要求2所述的Fe基软磁纳米薄膜，其特征在于：以氮化铁（FeN）软磁薄膜为例，化学组分可以表示为Fe_xN_y，Fe原子成分占比为0.70~0.95，N原子成分占比为0.05~0.30。

9.根据权利要求8所述的氮化铁软磁薄膜，其特征在于：薄膜制备过程中所使用到的Fe靶和N₂纯度都高于99.99%。

10.根据权利要求1所述的软磁薄膜应用于太赫兹波段的可调控平面电感，其特征在于：太赫兹波段为0.3-1.5 THz，可调控太赫兹波自由空间或太赫兹波波导中器件的平面电感值。