[发明专利]一种高容量陶瓷介电材料、陶瓷电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种高容量陶瓷介电材料，其特征在于，所述高容量陶瓷介电材料由以下组分组成：钛酸钡、烧结助剂、抗还原剂和稀土元素的氧化物，以所述高容量陶瓷介电材料总摩尔计，钛酸钡的摩尔百分数为91.0-95.0%；所述钛酸钡的粒径为150-180nm；

所述烧结助剂为Al₂O₃、SiO₂和MgO，所述稀土元素的氧化物为Sc₂O₃、Eu₂O₃、Ho₂O₃和Tm₂O₃，所述抗还原剂为V₂O₅；

以高容量陶瓷介电材料的总摩尔计，Al₂O₃占比为0.8-2.4%、SiO₂占比为1.0-2.6%、MgO占比为0.5-1.0%、Sc₂O₃占比为0.3-0.6%、Eu₂O₃占比为0.4-2.0%、Ho₂O₃占比为0.2-0.6%、Tm₂O₃占比为0.2-0.5%、V₂O₅占比为0.5-1%。

2.根据权利要求1所述的陶瓷介电材料，其特征在于，所述陶瓷介电材料由以下摩尔质量百分数的组分组成：BaTiO₃92.0-95.0%、Al₂O₃0.8-1.4%、SiO₂1.0-1.6%、MgO 0.5-0.8%、V₂O₅0.8-1.0%、Sc₂O₃0.3-0.6%、Eu₂O₃1.0-1.6%、Ho₂O₃0.2-0.6%、Tm₂O₃0.2-0.5%。

3.如权利要求1-2任一项所述的陶瓷介电材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：将钛酸钡和各组分混合湿磨、干燥，得高容量陶瓷介电材料。

4.一种陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷电容器由权利要求1-2任一项所述的高容量陶瓷介电材料烧结而成。

5.根据权利要求4所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷电容器为多介电层结构，所述介电层的数目为500-700，介电层的厚度为0.8-1.2μm。

6.根据权利要求4所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷电容器在25℃时的电阻率为2.9×10¹²-3.2×10¹²Ω·cm、电容为39-43μF、介电常数为4000-4700;击穿场强为80-85V/μm。

7.如权利要求4-6任一项所述的陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将陶瓷介电材料制成浆料后流延成1.0-1.5μm的膜片，接着经电极印刷、叠层、压制、切割形成生坯；然后将生坯在还原气氛中于1220-1280℃下烧结2-4h，随后退火处理，最后降至室温完成烧结，得瓷体；接着在瓷体两端烧结形成铜电极，并依次镀上镍层和锡层，得陶瓷电容器。