[发明专利]光检测元件、接收装置和光传感器装置

说明书

本发明提供对光的响应性良好的光检测元件、接收装置和光传感器装置。该光检测元件具有磁性元件，该磁性元件具备第1铁磁性层、第2铁磁性层、和被所述第1铁磁性层与所述第2铁磁性层夹持的间隔层，从与所述磁性元件的层叠方向交叉的方向对所述第1铁磁性层照射光。

技术领域

本发明涉及光检测元件、接收装置和光传感器装置。

背景技术

光电转换元件用于各种用途。

例如，在专利文献1中记载了使用光电二极管来接收光信号的接收装置。光电二极管例如是使用半导体的pn结的pn结二极管等，将光转换为电信号。

另外，例如，在专利文献2中记载有使用了半导体的pn结的光传感器和使用了该光传感器的图像传感器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-292107号公报

专利文献2：美国专利第9842874号说明书

发明内容

发明要解决的课题

使用半导体的pn结的光检测元件被广泛利用，但为了进一步发展而要求新的光检测元件。另外，光检测元件将光转换为电信号，要求转换精度的提高。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供对光的响应性良好的光检测元件、接收装置和光传感器装置。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，提供以下的手段。

(1)第1方式的光检测元件具有：磁性元件，其具备第1铁磁性层、第2铁磁性层、和被所述第1铁磁性层与所述第2铁磁性层夹持的间隔层，从与所述磁性元件的层叠方向交叉的方向对所述第1铁磁性层照射光。

(2)上述方式的光检测元件也可以构成为，还具有：第1电极和第2电极，在所述层叠方向上夹持所述磁性元件，所述第1电极和所述第2电极中的至少一方的侧面与所述磁性元件的侧面在至少一部分与同一假想平面相接，从所述假想平面侧向所述第1铁磁性层照射所述光。

(3)上述方式的光检测元件也可以构成为，所述磁性元件的侧面的一部分为平坦面，向所述平坦面照射所述光。

(4)上述方式的光检测元件也可以是，所述磁性元件的侧面的一部分为平坦面，所述平坦面与所述假想平面相接。

(5)上述方式的光检测元件也可以是，还具有：氧化物膜，其覆盖所述平坦面且能够使所述光透过。

(6)上述方式的光检测元件也可以是，还具有：发热部，所述发热部在所述光相对于所述磁性元件主照射的光照射方向上，位于所述磁性元件的后方。

(7)上述方式的光检测元件也可以是，还具有：膨胀部，所述发热部位于能够对所述膨胀部进行加热的位置，所述膨胀部在所述光相对于所述磁性元件主照射的光照射方向上，位于所述磁性元件的后方，所述膨胀部的线热膨胀系数大于所述第1铁磁性层的线热膨胀系数。

(8)上述方式的光检测元件也可以是，所所述光是包含高频的光信号且强度变化的光。

(9)上述方式的光检测元件也可以是，所述光是透过了波长滤光器的光。

(10)第2方式的接收装置具有上述方式的光检测元件。

(11)第3方式的光传感器装置具有上述方式的光检测元件。

发明效果

上述方式的光检测元件、接收装置和光传感器装置对光的响应性良好。

附图说明