[发明专利]用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210097828.8 申请日: 2022-01-27
公开(公告)号: CN114487074B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 刘泳良;王刚;缪国兴;张晓林;崔晓东 申请(专利权)人: 中国科学院空天信息创新研究院
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊晓
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 分析 空间 行波 管老炼后 残余 气体 结构 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构及其制备方法,其中,本发明的一个方面提供了一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构,包括:三通接口,三通接口包括第一接口;弯管,弯管包括弯管第一端和弯管第二端,弯管第一端与第一接口相接;尖锥,尖锥在弯管内,并靠近弯管第二端;磁铁,可滑动地设置在弯管外侧,并位于尖锥上方;排气管,排气管包括排气管第一端,排气管第一端与弯管第二端位于同一水平面;可打开结构,套设于弯管第二端和排气管第一端的外侧;真空隔膜,设置在排气管第一端、可打开结构和弯管第二端围成的空间内。

技术领域

本发明涉及微波电真空器件领域,具体涉及一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构及其制备方法。

背景技术

空间行波管为宇航用真空微波核心器件,起微波功率放大作用,需要具有可靠性高、长寿命等优点。空间行波管为真空器件,需要在超高真空状态才能稳定工作和保证长寿命。残余气体直接影响空间行波管的使用寿命。一般对残余气体的分析是通过真空排气台和四极质谱仪分析空间行波管通过真空烘排后的气体。但空间行波管在老炼、调试、环境试验后,以及在电子束轰击出气后还会有残余气体,这部分的残余气体的比例无法分析。

发明内容

鉴于上述问题,本发明通过提供一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构及其制备方法,分析空间行波管在老炼、调试、环境试验后等条件下存在的残余气体的成分比例。

为实现上述目的,本发明的一个方面提供了一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构,包括:三通接口,所述三通接口包括第一接口;弯管,所述弯管包括弯管第一端和弯管第二端,所述弯管第一端与所述第一接口相接;尖锥,所述尖锥在所述弯管内,并靠近所述弯管第二端;磁铁,可滑动地设置在所述弯管外侧,并位于所述尖锥上方;排气管,所述排气管包括排气管第一端,所述排气管第一端与所述弯管第二端位于同一水平面;可打开结构,套设于所述弯管第二端和所述排气管第一端的外侧;真空隔膜,设置在所述排气管第一端、所述可打开结构和所述弯管第二端围成的空间内。

根据本发明的实施例,其中,所述弯管在靠近所述弯管第一端处弯折。

根据本发明的实施例,其中,所述尖锥的材料包括具有导磁性的材料。

根据本发明的实施例,其中,所述尖锥的直径与所述弯管内径的差值范围包括1mm~2mm。

根据本发明的实施例,其中,所述排气管、所述可打开结构与所述弯管的材料均相同。

根据本发明的实施例,其中,所述真空隔膜的厚度范围包括0.2~0.5mm。

本发明的另一个方面提供了一种用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构的制备方法,包括:提供三通接口,所述三通接口包括第一接口;制备弯管,所述弯管包括弯管第一端和弯管第二端;在靠近所述弯管第二端处放入尖锥;制备排气管,所述排气管包括排气管第一端;在可打开结构上制备真空隔膜;将所述弯管第二端和所述排气管第一端分别与所述可打开结构进行焊接;将焊接有所述可打开结构和所述排气管的所述弯管与所述第一接口进行焊接。

根据本发明的实施例,其中,所述制备弯管包括:在靠近所述弯管第一端处通过弯曲或夹扁的方式进行弯折。

根据本发明的实施例,其中,所述排气管还包括排气管第二端,对所述排气管第二端进行冷焊密封。

根据本发明的实施例,其中,还包括,在所述弯管的外侧,位于所述尖锥的上方放置可滑动的磁铁。

根据本发明上述实施例提供的用于分析空间行波管老炼后残余气体的结构及其制备方法,通过在空间行波管上增加可打开结构,空间行波管在完成老炼等工序后,将空间行波管连接到四级质谱仪上,通过磁铁带动尖锥打开真空隔膜,使得残余气体进入四级质谱仪,将经过老炼等工序后产生的残余气体的比例分析出来,为提高空间行波管的真空度提供了一种有效的评价方法。

附图说明

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