[发明专利]微测辐射热计和其制造方法

权利要求书

1.一种微测辐射热计，其特征在于，包括：

基板；

读取电路层，配置于该基板上方；

第一氧化钒层，配置于该读取电路层上方；

第二氧化钒层，配置于该第一氧化钒层上，其中该第二氧化钒层的含氧量高于该第一氧化钒层的含氧量；以及

红外线吸收层，配置于该第二氧化钒层上方。

2.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第一氧化钒层包括VO、V₂O₃、VO₂、V_aO_2a-1、V_bO_2b+1或其组合，a为介于4至9间的整数，b为3、4或6。

3.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第二氧化钒层包括V₂O₅、V₂O_c或其组合，c为大于5的整数。

4.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第二氧化钒层的含氧量介于70％至90％间。

5.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第二氧化钒层的厚度介于1nm至10nm间，该第一氧化钒层的厚度介于50nm至250nm间。

6.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第二氧化钒层的含氧量朝远离该第一氧化钒层的方向递增。

7.根据权利要求1所述的微测辐射热计，其中该第二氧化钒层和该第一氧化钒层之间形成介面，该介面两侧的晶格态不相同。

8.根据权利要求1所述的微测辐射热计，进一步包括第三氧化钒层配置于该第二氧化钒层上，其中该第三氧化钒层的含氧量高于该第二氧化钒层的含氧量，该第二氧化钒层和该第三氧化钒层的总厚度介于1nm至10nm间。

9.一种制造微测辐射热计的方法，其特征在于，包括：

形成第一氧化钒层于基板上方，其中在形成该第一氧化钒层时加热该基板，该基板的温度介于300℃至400℃间；

形成第二氧化钒层于该第一氧化钒层上，其中该第二氧化钒层的含氧量高于该第一氧化钒层的含氧量；以及

形成红外线吸收层于该第二氧化钒层上方。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成该第一氧化钒层包括：

使用射频电源或脉冲直流电电源轰击金属靶材，以产生金属前驱物，其中该脉冲直流电电源的占空比介于50％至98％间；以及

在含氧环境中沉积该金属前驱物于该基板上方，其中该含氧环境的含氧量介于10％至50％间。