[发明专利]一种高纯度银纳米线的合成方法

权利要求书

1.一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将AgNO₃溶于多元醇中配成溶液a，备用；

(2)将表面封端剂PVP溶于多元醇中配成溶液b，备用；

(3)将溶液a和溶液b在搅拌条件下充分混合，得到混合溶液c；

(4)将步骤(3)所得的混合溶液c转移入高压反应釜中，升至特定温度，并在此温度下保温一定时间，制得银纳米线原液；

(5)将步骤(4)所得的银纳米线原液用去离子水和无水乙醇进行离心洗涤和分离处理，即可获得所述高纯度银纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述多元醇选自丙二醇、丁二醇和丙三醇中的一种或丙二醇分别与丁二醇和丙三醇中的一种或多种，按一定比例配制的混合醇溶液。

3.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述的表面封端剂PVP选自PVP-K15、PVP-K30、PVP-K60和PVP-K90中的一种或两种，按一定比例配制的封端剂溶液，所述PVP-K15的Mw：～10000，PVP-K30的Mw：45000～58000，PVP-K60的Mw：360000，PVP-K90的Mw：1300000。

4.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述溶液a中AgNO₃的质量浓度为10～40g/L。

5.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述溶液b中PVP的质量浓度为1～4g/L。

6.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述溶液c中AgNO₃和PVP的质量比为1∶0.05～1∶0.1。

7.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述配制溶液a，溶解温度为20～30℃，搅拌速度为150～250rpm，搅拌时间为10～30min；配制溶液b，溶解温度为30～50℃，搅拌速度为150～250rpm，搅拌时间为20～40min。

8.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述混合溶液C的混合温度为20～30℃、搅拌速度为150～250rpm、混合搅拌时间为5～20min。

9.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，所述混合溶液c的体积占高压反应釜总体积的30～70％。

10.根据权利要求1所述的一种高纯度银纳米线的合成方法，其特征在于，在步骤(4)中，升温速率为1～10℃/min，保温温度为90～130℃，保温时间为5～30h。