[发明专利]W波段射频管壳结构和制备方法

权利要求书

1.一种W波段射频管壳结构，其特征在于，包括：

基板，开设有贯穿所述基板两侧的通孔和盲槽，其中，所述基板包括相对设置的顶面基板和底面基板；

导体层，形成于所述基板两侧，且所述基板两侧的导体层通过所述通孔互联；

微带探针，半悬置于所述导体层上；

芯片，设置于所述导体层上，与所述微带探针键合相连且互相隔离。

2.如权利要求1所述的W波段射频管壳结构，其特征在于，所述顶面基板和所述底面基板扣合，形成气密封装的管壳。

3.如权利要求2所述的W波段射频管壳结构，其特征在于，所述微带探针设置于所述底面基板生成的所述导体层上，与所述基板形成的管壳配合构成反射腔结构。

4.如权利要求1所述的W波段射频管壳结构，其特征在于，所述基板的材质为陶瓷介质。

5.如权利要求1所述的W波段射频管壳结构，其特征在于，所述通孔内填充有金属导体，所述基板两侧的导体层通过所述金属导体互联。

6.一种W波段射频管壳制备方法，其特征在于，包括：

在基板的两侧形成导体层，所述基板上开设有贯穿所述基板两侧的通孔和盲槽，所述基板两侧的导体层通过所述通孔互联，其中，所述基板分为顶面基板和底面基板；

在所述底面基板上设置微带探针，所述微带探针半悬置于所述底面基板生成的导体层上；

在所述底面基板上设置芯片，所述芯片与所述微带探针通过键合线相连且互相隔离；

对所述顶面基板和底面基板进行组合，得到管壳。

7.如权利要求6所述的W波段射频管壳制备方法，其特征在于，所述在基板的两侧形成导体层，包括：

对所述基板开设通孔，在所述基板的两侧溅射金属种子层，所述基板两侧的金属种子层通过所述通孔连通；

在所述金属种子层涂覆光阻层，通过光刻得到表面图形；

根据第一预设图形区域，对所述基板进行电镀、平坦化处理，并对所述顶面基板进行局部加厚处理；

去除所述光阻层，再次光刻，得到腐蚀图形，通过化学腐蚀去除非所述第二预设图形区域的金属种子层；

在所述基板的一侧开设盲槽，并对所述盲槽进行清洗。

8.如权利要求7所述的W波段射频管壳制备方法，其特征在于，所述对所述顶面基板需进行局部加厚处理，包括：

根据表面图形，对所述顶面基板进行局部加厚，得到所述第一预设图形，并在所述第一预设图形的基础上完成底面焊接焊盘的制备；

基于所述第一预设图形，对所述顶面基板进行局部加厚，得到所述第二预设图形，并在所述第二预设图形的基础上完成顶面天线柱的制备。

9.如权利要求6所述的W波段射频管壳制备方法，其特征在于，所述在所述底面基板上设置微带探针，包括：将所述微带探针半悬置于所述导体层上，所述微带探针的悬置部分位于所述底面基板的盲槽上方，所述微带探针的非悬置部分贴装在所述底面基板上；

所述在所述底面基板上设置芯片，包括：所述芯片贴装在所述底面基板上，一端与所述底面基板通过键合线相连，所述芯片另一端与所述微带探针互相隔离，且通过键合线相连。

10.如权利要求6所述的W波段射频管壳制备方法，其特征在于，所述对所述顶面基板和底面基板进行组合，包括：

通过激光划片，分割所述顶面基板和底面基板；

在所述底面基板的安装面上设置所述芯片和所述微带探针；

通过焊接，将所述顶面基板和底面基板形成管壳腔体。