[发明专利]一种范德华异质结负折射聚焦器件在审
| 申请号： | 202210085143.1 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114442207A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 戴庆;胡海;陈娜;滕汉超 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 范德华异质结负 折射 聚焦 器件 | ||
1.一种范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的基底层、氧化钼层、石墨烯层和金属天线；所述金属天线设置在所述氧化钼层上以及所述石墨烯层上；所述氧化钼层和所述石墨烯层构成石墨烯氧化钼范德华异质结。
2.根据权利要求1所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述基底层材料为金属材料、无机介电材料或有机高分子材料。
3.根据权利要求1所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述氧化钼层的平面几何尺寸为10um-500um；所述氧化钼层的厚度为10nm-1um。
4.根据权利要求1所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述石墨烯层的平面几何尺寸为1um-100um。
5.根据权利要求1所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述金属天线的平面几何尺寸为5nm-30um；所述金属天线的厚度5nm-5um。
6.根据权利要求1所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述范德华异质结负折射聚焦器件还包括金属电极；所述金属电极，设置在所述石墨烯层上，用于对所述石墨烯层施加偏压进而调控石墨烯的载流子浓度。
7.根据权利要求6所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述偏压的范围为0-100V。
8.根据权利要求6所述的范德华异质结负折射聚焦器件，其特征在于，所述载流子浓度范围为0-1×1014cm-2。
9.一种范德华异质结负折射聚焦器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法应用于权利要求1-8任意一项所述的范德华异质结负折射聚焦器件，所述制备方法包括：
选取基底层材料，制备基底层；
制备氧化钼，并将所述氧化钼置于所述基底层上，得到氧化钼层；
制备单层石墨烯，并将所述石墨烯转移到所述氧化钼层上，得到石墨烯层；
在所述氧化钼层上表面与所述石墨烯层的交界线的两侧制备金属天线。
10.根据权利要求9所述的范德华异质结负折射聚焦器件的制备方法，其特征在于，所述基底层包括由下至上依次设置的硅基底和金基底。
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