[发明专利]一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法

权利要求书

1.一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，从下往上依次为SiO₂衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoO_x薄膜层、透明电极，所述ZnO薄膜层和MoO_x薄膜层共同组成了全光控忆阻器件的光电忆阻层；所述ZnO薄膜层的厚度为100±20nm。

2.根据权利要求1所述的一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，其特征在于，所述MoO_x薄膜层的厚度为100±30nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，其特征在于，所述惰性电极为W或Pt，所述透明电极为ITO或FTO。

4.权利要求1-3任一所述一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将SiO₂衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗8～15分钟，用氮气吹干；

S2、在SiO₂衬底上沉积W薄膜作为底电极，生长条件为：在室温纯氩气的环境下，使用钨靶以80W的功率溅射5分钟；

S3、在W电极上沉积ZnO薄膜，生长条件为：在室温纯氩气的环境下，使用氧化锌靶以80W的功率溅射30分钟；

S4、在ZnO薄膜上沉积MoO_x薄膜，生长条件为：在室温纯氩气的环境下，使用氧化钼靶以80W的功率溅射30分钟，制得光电忆阻层；

S5、在步骤S4制得得光电忆阻层上沉积透明电极ITO，生长条件为：在室温纯氩气的环境下，使用ITO靶以30W的功率溅射2分钟。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤S2-S5中，所述沉积方法为磁控溅射法。