[发明专利]一种用于量产测试fA级电流的测试连接装置

说明书

本发明公开了一种用于量产测试fA级电流的测试连接装置，特点是包括测试金手指和包裹环绕在测试金手指外的电磁屏蔽体，测试金手指分别与待测芯片的器件端脚、电流测量装置电连接，电磁屏蔽体包括从内到外依次设置的第一绝缘环、屏蔽内环、第二绝缘环、电压快速稳定屏蔽环、第三绝缘环和接地屏蔽环，电磁屏蔽体上电连接有屏蔽控制电路，屏蔽控制电路先控制电压快速稳定屏蔽环的电位与测试金手指的电位相同，再控制屏蔽内环的电位与测试金手指的电位相同，直至测量结束；优点是该测试连接装置能减少或避免外界环境对测试金手指的影响，提高了测量精度；还缩短了电流测量装置对fA级漏电流的测量时间，提高了测量效率。

技术领域

本发明涉及对电流的测试连接装置，尤其涉及一种用于量产测试fA级电流的测试连接装置。

背景技术

目前，根据工作应用场景等的要求，在工作时，运算放大器等芯片的器件端脚只允许存在极小的漏电流，一般漏电流为fA级。对于fA级的漏电流，目前通常是在实验环境中通过技术手段测量，而在实际量产测试中，由于漏电流极其微弱，且待测芯片与电流测量装置之间的距离较远，受环境影响导致电流测量装置对待测芯片的漏电流的测量精度变差，从而导致无法对漏电流进行有效的检测，难以满足量产测试的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种用于量产测试fA级电流的测试连接装置，其在检测时能减少甚至避免外界环境对测试连接金手指的影响，满足量产时fA级漏电流的测量要求，提高量产测试的效率以及可靠性。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种用于量产测试fA级电流的测试连接装置，用于连接待测芯片和电流测量装置，包括测试金手指和包裹环绕在所述的测试金手指外的电磁屏蔽体，所述的测试金手指的一端与待测芯片的器件端脚电连接，所述的测试金手指的另一端与电流测量装置电连接，所述的电磁屏蔽体包括从内到外依次设置的第一绝缘环、屏蔽内环、第二绝缘环、电压快速稳定屏蔽环、第三绝缘环和接地屏蔽环，所述的电磁屏蔽体上电连接有屏蔽控制电路，所述的屏蔽控制电路使得所述的接地屏蔽环始终处于接地状态，且测试时，所述的屏蔽控制电路先控制所述的电压快速稳定屏蔽环的电位与所述的测试金手指的电位相同，再控制所述的屏蔽内环的电位与所述的测试金手指的电位相同，直至测量结束。

进一步地，所述的第一绝缘环、屏蔽内环、第二绝缘环、电压快速稳定屏蔽环、第三绝缘环和接地屏蔽环均与所述的测试金手指呈同心分布。

进一步地，所述的屏蔽控制电路包括采样保持电路和与所述的采样保持电路电连接的屏蔽内环控制电路、稳定屏蔽环控制电路，所述的采样保持电路用于对屏蔽驱动信号采样保持，所述的屏蔽内环控制电路与所述的屏蔽内环电连接，用于控制所述的屏蔽内环的电位与所述的测试金手指的电位相同；所述的稳定屏蔽环控制电路与所述的电压快速稳定屏蔽环电连接，用于控制所述的电压快速稳定屏蔽环的电位快速稳定在所述的测试金手指的相同电位。

进一步地，所述的采样保持电路包括第一NMOS管、第二NMOS管和第五电容，所述的第一NMOS管的漏极端与屏蔽驱动信号电连接，所述的第一NMOS管的源极端分别与所述的第二NMOS管的源极端、所述的第五电容的第一端、所述的屏蔽内环控制电路以及稳定屏蔽环控制电路电连接，所述的第二NMOS管的漏极端和所述的第五电容的第二端均接地。

进一步地，所述的稳定屏蔽环控制电路包括第一运算放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻和第二电阻，所述的第一运算放大器的同相端与所述的第五电容的第一端、第一NMOS管的源极端以及第二NMOS管的源极端电连接，所述的第一运算放大器的电源正端通过所述的第二电容接地，所述的第一运算放大器的电源负端通过所述的第一电容接地，所述的第一运算放大器的反相端与所述的第二电阻的一端电连接，所述的第二电阻的另一端分别与所述的第一运算放大器的输出端以及所述的第一电阻的一端电连接，所述的第一电阻的另一端与所述的第三电容的一端电连接后形成稳定屏蔽环控制输出端，稳定屏蔽环控制输出端与所述的电压快速稳定屏蔽环电连接，所述的第三电容的另一端接地。