[发明专利]一种新型熔断体加工工艺在审
| 申请号： | 202210072127.9 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114446719A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 颜睿志 | 申请（专利权）人： | 苏州华德电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H69/02 | 分类号： | H01H69/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 熔断 加工 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：该种新型熔断体加工工艺包括以下步骤：
步骤(1)冲型，在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔；
步骤(2)堆叠，在未冲型生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片；
步骤(3)埋线，堆叠到一半产品高度时，将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片；
步骤(4)堆叠，堆叠剩下一半高度生瓷片，竖直方向槽孔形成腔体；
步骤(5)填充，将灭弧材料填充到腔体内；
步骤(6)加盖，将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上；
步骤(7)预切，将步骤(6)制成产品预切成若干个熔断体单元，以槽孔为切割基准；
步骤(8)烧结，预切后对产品进行烧结处理，产品表面呈硬质陶瓷；
步骤(9)剥条，将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条；
步骤(10)溅镀，将成列产品条堆叠到真空腔体，在真空环境下溅镀，在产品条两端形成镀膜，产品条端面导通；
步骤(11)剥粒，将溅镀产品条掰成单个熔断体，滚镀，制成成品。
2.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(1)中生瓷片采用LTCC技术制作，冲型生瓷片厚度120mm，低温环境冲型。
3.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(5)中所述灭弧材料采用石英砂或碳膏。
4.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(10)中镀膜为镀铜膜或镀铬膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华德电子有限公司，未经苏州华德电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210072127.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用程序编译和运行方法及装置、存储介质
- 下一篇：一种熔断体加工工艺
